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C语言实现cordic sinx的算法
C语言实现cordic sinx的算法。 理论上速度比 math.h 中的sinx应该快很多, VC6编译,代码绝对OK!
所属分类:
C
发布日期:2009-08-25
文件大小:197632
提供者:
wxengineer
求sinx和cosx的近似值代码
利用泰勒展式,求sinx和cosx的近似值
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-12-07
文件大小:620
提供者:
ceylon0614
正弦信号的FFT计算
sinx 正弦信号 FFT计算 VC++ MFC 正弦信号的FFT计算! 基于VC++6.0的FFT计算,并且能够现实图形!
所属分类:
专业指导
发布日期:2011-08-28
文件大小:145408
提供者:
f535324
Java中用Applet画sinx
Java中用Applet画sinx,代码是比较全,使用Eclipse开发。
所属分类:
Java
发布日期:2011-11-10
文件大小:18432
提供者:
waylife
关于sinx求值程序
这是关于用c语言实现sinx求值的程序,初学者可以过来看看啊。
所属分类:
PHP
发布日期:2012-10-16
文件大小:520
提供者:
renweifeng123
求sinx^3的定积分
求定积分范围1到2,sinx^3的定积分
所属分类:
C/C++
发布日期:2013-10-21
文件大小:438
提供者:
u010750329
龙贝格算法计算积分sinx/x积分
数值积分 用龙贝格算法计算下面积分sinx/x,积分限0~1,精度要求为10-6.
所属分类:
数据库
发布日期:2018-06-18
文件大小:1024
提供者:
weixin_40756913
计算sinx和cosx的近似值
运用台劳级数公式计算sinx和cosx的近似值,舍去的绝对值不小于ε 输入x和ε的值 第一行输出sinx的值,第二行输出cosx的值
所属分类:
C++
发布日期:2018-12-18
文件大小:1024
提供者:
weixin_42335931
关于sinx/x的较强上下界估计及其应用
关于sinx/x的较强上下界估计及其应用,何灯,,给出了关于sinx/x的形如(a+b*cosx)/(c+d*cosx)(a,b,c,d>0,a+b=c+d)的较强的上下界估计,并应用其将两个Wilker型不等式在较大范围内进行了隔离,且得到
所属分类:
其它
发布日期:2019-12-29
文件大小:194560
提供者:
weixin_38653155
Ag纳米颗粒注入载流子对SiNx基LED电致发光的改善作用
Ag纳米颗粒注入载流子对SiNx基LED电致发光的改善作用
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-18
文件大小:517120
提供者:
weixin_38734200
用于光子集成的混合发光聚合物/ SiNx平台
用于光子集成的混合发光聚合物/ SiNx平台
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-16
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38736721
具有位置可控散射的基于SiNx的微环谐振器的手征性和方向性发射
具有位置可控散射的基于SiNx的微环谐振器的手征性和方向性发射
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-15
文件大小:978944
提供者:
weixin_38518074
LPCVD和PECVD-SiNx钝化的AlGaN / GaN HEMT的比较研究
LPCVD和PECVD-SiNx钝化的AlGaN / GaN HEMT的比较研究
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-14
文件大小:696320
提供者:
weixin_38639642
通过SiNx / SiOx钝化和双重P扩散吸杂处理的组合提高c-Si太阳能电池的性能
SiNx / SiOx钝化和双面P扩散吸杂处理已用于制造c-Si太阳能电池。 经二次P扩散处理后,制成的太阳能电池具有较高的开路电压和短路电流。 除了更好的表面钝化效果,SiNx / SiOx层在长波长范围内的反射率比传统的SiNx膜低。 结果,与常规的c-Si太阳能电池相比,这种太阳能电池表现出更高的转换效率和更好的内部量子效率。
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-13
文件大小:619520
提供者:
weixin_38644141
使用SiNx / a-IZO层压促进有机发光二极管的透明阻气层
我们研究了一种完全无机透明的阻挡层,该阻挡层由使用等离子体增强化学气相沉积的SiNx层和通过等离子体气相沉积的非晶态铟-锌-氧化物(a-IZO)层交替组成。 完全的无机薄膜阻挡层显示较低的水蒸气透过率(WVTR)为5.21 x 10(-4)g / m(2)/天,通过钙(Ca)腐蚀测试评估了三倍的SiNx / a-IZO堆叠。 结果,用层压的SiNx / a-IZO势垒封装的有机发光二极管(OLED)在环境和驱动条件下显示出更长的连续工作寿命。 这意味着完全无机封装的结构非常适合阻止水和氧气的渗透
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-12
文件大小:262144
提供者:
weixin_38728277
基于810 nm的非对称基于SiNx的偏振分束器
基于810 nm的非对称基于SiNx的偏振分束器
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-09
文件大小:657408
提供者:
weixin_38724663
低制造复杂度的高效宽带SiNx-on-SOI光栅耦合器
低制造复杂度的高效宽带SiNx-on-SOI光栅耦合器
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-09
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38668225
低压化学气相沉积法生长的GaN(cap)/ AlGaN / AlN / GaN异质结构与SiNx栅介电层之间的界面陷阱和固定电荷的研究
低压化学气相沉积法生长的GaN(cap)/ AlGaN / AlN / GaN异质结构与SiNx栅介电层之间的界面陷阱和固定电荷的研究
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-04
文件大小:758784
提供者:
weixin_38699492
低温制备的非晶SiNX薄膜的发光特性和机理。 二。 缺陷状态电致发光
在本文中,我们对非晶非化学计量氮化硅(SiNX)薄膜进行了室温电致发光(EL)研究。 发光装置由ITO / SiNX / p型硅结构形成。 EL显示出淡黄色的宽发射光谱,功率效率为10(-6)。 EL峰值能量取决于偏置电压,而不取决于SiNX中的硅含量。 通过将电流-电压特性与现有模型进行拟合,我们发现在高电压下,Poole-Frenkel空穴传导是这些器件中的主要载流子传输机制。 注入的电子被硅悬空键(K中心)捕获并与空穴复合,空穴位于价带尾态。 空穴和电子注入的不平衡以及非辐射复合是SiNX
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-22
文件大小:351232
提供者:
weixin_38687928
多层SiNx/Si/SiNx薄膜的微结构及其发光性能
采用双极脉冲磁控反应溅射结合快速热处理技术在硅衬底表面制备多层SiNx/Si/SiNx薄膜。利用拉曼光谱和光致发光(PL)光谱研究退火处理对薄膜微结构及其发光性能的影响。拉曼测试结果表明薄膜经高温度退火处理后会出现晶态比为30%的单晶和非晶共存的硅纳米颗粒,其尺寸约为6.6 nm;而光致发光谱的测试结果则表明薄膜中单晶硅和非晶硅纳米颗粒的尺寸分别为3.79 nm和3.03 nm;此外还发现薄膜的发光现象主要是由于缺陷态和量子点的量子限域效应的共同作用,并以缺陷态引起的发光为主。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-05
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38664427
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