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搜索资源列表

  1. CdS：Cd / Si多界面纳米异质结的合成，结构和光学性质

  2. CdS：Cd / Si多界面纳米异质结的合成，结构和光学性质

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：782336
    • 提供者：weixin_38631329

  1. 硼掺杂对基于Si纳米多Kong柱阵列的CdS / Si异质结构的发光和电学性质的影响

  2. 硼掺杂对基于Si纳米多Kong柱阵列的CdS / Si异质结构的发光和电学性质的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：815104
    • 提供者：weixin_38738830

  1. 镉纳米微晶界面掺入对CdS / Si多界面纳米异质结太阳能电池光伏性能的影响

  2. 镉纳米微晶界面掺入对CdS / Si多界面纳米异质结太阳能电池光伏性能的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38685538

  1. 基于硅纳米Kong柱阵列的纳米结构GaN / Si异质结的整流和电致发光

  2. 基于硅纳米Kong柱阵列的纳米结构GaN / Si异质结的整流和电致发光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：524288
    • 提供者：weixin_38648396

  1. STH-Bass：时空异质低音模型，用于预测单条Tweet的受欢迎程度

  2. STH-Bass：时空异质低音模型，用于预测单条Tweet的受欢迎程度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-16
    • 文件大小：461824
    • 提供者：weixin_38668776

  1. 面向大数据处理的基于Spark的异质内存编程框架

  2. 随着大数据应用的发展，需要处理的数据量急剧增长，企业为了保证数据的及时处理并快速响应客户，正在广泛部署以Apache Spark为代表的内存计算系统.然而TB级别的内存不但造成了服务器成本的上升，也促进了功耗的增长.由于DRAM的功耗、容量密度受限于工艺瓶颈，无法满足内存计算快速增长的内存需求，因此研发人员将目光逐渐移向了新型的非易失性内存(non-volatile memory, NVM).由DRAM和NVM共同构成的异质内存，具有低成本、低功耗、高容量密度等特点，但由于NVM读写性能较差，如

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38692043

  1. 一种基于MLC SSD 的异质感知的ECC设计方法

  2. 已有研究发现,同一闪存芯片上的页面在性能、可靠性和持久性方面都存在很大差异.这种页面之间的异质性结构为设计和实现固态盘提供了新的探索空间.该文利用这种异质性结构来设计灵活的纠错码(ECC)从而提高固态盘的性能并延长其寿命.实验结果表明,采用异质感知的ECC方案可以获得大约50%的性能改进和线性的寿命增长.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38616359

  1. 基于CH3NH3PbI3的平面异质结钙钛矿太阳能电池的二维器件建模

  2. 基于CH3NH3PbI3的平面异质结钙钛矿太阳能电池的二维器件建模

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38509504

  1. Cu-CNT异质同轴硅通Kong的电学建模和分析

  2. Cu-CNT异质同轴硅通Kong的电学建模和分析

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：765952
    • 提供者：weixin_38670420

  1. 乙酸锌浓度对p-Co3O4 / n-ZnO异质结构光催化活性优化的影响

  2. 乙酸锌浓度对p-Co3O4 / n-ZnO异质结构光催化活性优化的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38499706

  1. 使用BaSn？0.15Ti？0.85O？3 / Ba？0.6Sr？0.4TiO？3异质结构薄膜的高功率密度超高能量密度薄膜电容器

  2. 通过基于环保的BaSn0.15Ti0.85O3和Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的异质结构复合材料，在室温下实现了无铅铁电材料的超高储能性能。 在100 kHz时，分别在Ba0.6Sr0.4TiO3层上生长的BaSn0.15Ti0.85O3层的介电常数和损耗角正切计算为402和0.0137。 BaSn0.15Ti0.85O3和Ba0.6Sr0.4TiO3层之间的界面层可以提高介电常数并降低异质结构的损耗角正切。 通过界面层可以显着提高电击穿强度，并提出了影响机理。 在2.37 MV / cm的持

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38524246

  1. 通过与银纳米线表面等离激元耦合实现可调谐的ZnO / GaN异质结LED

  2. 通过与银纳米线表面等离激元耦合实现可调谐的ZnO / GaN异质结LED

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38611459

  1. Si 衬底掺杂浓度对InGaN/Si 异质单结太阳电池性能的影响

  2. 【目的】研究p-Si 衬底掺杂浓度对InGaN/Si 异质单结太阳电池性能的影响，为制备高效太阳电池提供理论基础。【方法】将器件的n-InGaN 掺杂浓度固定为1016 cm-3，在改变p-Si 衬底掺杂浓度NA 的情况下，采用一维光电子和微电子器件结构分析模拟软件（AMPS-1D）对InGaN/Si 异质单结太阳电池器件的各项性能参数进行模拟。【结果】随着掺杂浓度NA 的升高，电池的电流密度JSC和填充因子FF 随之升高，当到达一定高的掺杂浓度范围时（NA＞5.00×1017cm-3），JSC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：323584
    • 提供者：weixin_38712899

  1. ZnO-NA / Cu2O-NPs II型分层异质结的电化学沉积合成以增强甲基橙（MO）的光电化学降解

  2. ZnO-NA / Cu2O-NPs II型分层异质结的电化学沉积合成以增强甲基橙（MO）的光电化学降解

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38727579

  1. AlGaAs/GaAs/AlGaAs渐变异质结光致发光仿真研究

  2. AlGaAs/GaAs/AlGaAs渐变异质结光致发光仿真研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：568320
    • 提供者：weixin_38659812

  1. 非高斯异质杂波中GLRT-LQ检测器的误报率

  2. 非高斯异质杂波中GLRT-LQ检测器的误报率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：266240
    • 提供者：weixin_38673694

  1. AlGaN / GaN异质结构上具有低退火温度的超低接触电阻无金欧姆接触

  2. AlGaN / GaN异质结构上具有低退火温度的超低接触电阻无金欧姆接触

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：953344
    • 提供者：weixin_38501299

  1. AlInN / AlN / GaN异质结构的近共振拉曼散射研究

  2. AlInN / AlN / GaN异质结构的近共振拉曼散射研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：646144
    • 提供者：weixin_38660579

  1. CHF3处理MoS2 / HfZrO4异质结构能带的研究

  2. 使用X射线光电子能谱研究了多层MoS2（5 nm）/ HfZrO4（15 nm）异质结处的能带工程以及CHF3等离子体处理对能带偏移的影响。 对于未经CHF3等离子体处理的MoS2 / HfZrO4样品，价带偏移约为1.00 eV，导带偏移约为3.20 eV。 使用CHF3等离子体处理，导带偏移降低了0.37 eV。 认为能带排列的差异主要是由Hf 4f核心能级的上移引起的，这与F离子与Hf原子具有强相互作用的计算结果一致。 这一有趣的发现鼓励将HfZrO4用作基于MoS2的电子设备中的栅极氧化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38630571

  1. 通过MgO厚度调整Pt / Co / MgO异质结构中的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用

  2. 通过MgO厚度调整Pt / Co / MgO异质结构中的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38514872
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