注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 粒子群算法优化异质结构光子晶体环形腔滤波特性

  2. 为了提高异质结构光子晶体环形腔滤波器的滤波特性,采用粒子群(PSO)算法对其结构参数进行全局优化.以正方晶格光子晶体环形滤波器结构为优化对象,根据粒子群算法的位置——速度更新公式,对光子晶体缺陷处散射柱、耦合介质柱和内部介质柱的半径进行全局优化.通过理论分析和数值模拟结果可以看出,滤波结构参数优化后,可实现单模窄带滤波.与此同时,归一化透射率由53%提高到97%,证明了该优化算法的有效性,从而为该滤波结构在光电器件中的应用奠定了基础.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38740596

  1. 使用激光调制Cu2O / Si异质外延结中的线性电阻变化

  2. 使用激光调制Cu2O / Si异质外延结中的线性电阻变化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：1005568
    • 提供者：weixin_38665093

  1. 原位制备Bi2Ti2O7 / TiO2异质结构亚微米纤维以增强光催化活性

  2. 原位制备Bi2Ti2O7 / TiO2异质结构亚微米纤维以增强光催化活性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-23
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38663036

  1. 光伏异质结电池报告：HJT

  2. Ecosolifer 实现 24.1%量产效率，产能有望扩至 400MW：Ecosolifer 位于匈牙利的异质结电池产线预计将 于 2020 年二季度达到 100MW 产能规模，该产线生产的电池效率目前已达到 24.1%，销往欧洲光伏组 件企业。Ecosolifer 使用梅耶博格的整条生产线，同时正在考虑将现有产能扩大至 400MW 体量。 Enel 意大利 200MW 产能开始运转，研发效率突破 24.6%：目前意大利国家电力公司 Enel 在卡塔尼亚 的 3Sun 工厂具备 200MW 的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-23
    • 文件大小：867328
    • 提供者：weixin_38621104

  1. 阳光直射的Ag-ZnO异质结构光催化剂：罗丹明B的降解增强

  2. 阳光直射的Ag-ZnO异质结构光催化剂：罗丹明B的降解增强

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-20
    • 文件大小：917504
    • 提供者：weixin_38746738

  1. 稳定偏振异质光纤光栅激光传感器的拍信号

  2. 稳定偏振异质光纤光栅激光传感器的拍信号

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：594944
    • 提供者：weixin_38655767

  1. 缓冲改性的富勒烯/铜酞菁异质结作为互连体的串联有机发光二极管的场和厚度相关性能

  2. 缓冲改性的富勒烯/铜酞菁异质结作为互连体的串联有机发光二极管的场和厚度相关性能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：699392
    • 提供者：weixin_38685832

  1. 不同晶格失配衬底上生长的ZnO基双异质结发光二极管电致发光的比较研究

  2. 我们已经比较研究了非对称p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -GaN和p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -Si双异质结发光二极管的电致发光（EL）性能（LED）生长在不同的晶格失配基板上。 I–V曲线测量显示出清晰的整流特性，p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -GaN和p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n +的阈值电压分别为3.8和6 V -Si双异质结，分别。在小晶格不匹配的n + -GaN衬底上生长

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38547151

  1. X射线光电子能谱研究n-SnO2 / p-GaN异质结的能带对准

  2. X射线光电子能谱已用于研究n-SnO2 / p-GaN的能带偏移异质结。价带偏移（EV）和导带偏移（Ec）为分别确定为0.97±0.2 eV和0.77±0.2 eV，表明n-SnO2 / p-GaN异质结具有II型能带取向。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：1018880
    • 提供者：weixin_38548434

  1. 极化掺杂的AlGaN / GaN异质结上的低电阻欧姆接触

  2. 极化掺杂的AlGaN / GaN异质结上的低电阻欧姆接触

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：401408
    • 提供者：weixin_38681082

  1. 同轴异质砷化镓单纳米线太阳能电池的宽带增强

  2. 同轴异质砷化镓单纳米线太阳能电池的宽带增强

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38608693

  1. 基于TiO2 / ZnO异质结的高性能紫外探测器

  2. 基于TiO2 / ZnO异质结的高性能紫外探测器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38697557

  1. GaN基异质结构中二维电子气的可调密度：缓冲受体和沟道宽度的影响

  2. GaN基异质结构中二维电子气的可调密度：缓冲受体和沟道宽度的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：974848
    • 提供者：weixin_38600432

  1. 基于有序的纳米结构BiOI / Bi2S3异质结膜构建柔性光电化学太阳能电池†

  2. 基于有序的纳米结构BiOI / Bi2S3异质结膜构建柔性光电化学太阳能电池†

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38748580

  1. 构建具有成分梯度的本体异质结以提高聚合物太阳能电池的效率

  2. 构建具有成分梯度的本体异质结以提高聚合物太阳能电池的效率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38688145

  1. 薄GaAs异质结光电阴极的光发射特性

  2. 薄GaAs异质结光电阴极的光发射特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38642897

  1. Cu2ZnSnS4 / CdS / ZnO异质结界面能带对准的实验和第一性原理研究

  2. Cu2ZnSnS4 / CdS / ZnO异质结界面能带对准的实验和第一性原理研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38717143

  1. 通过调制施加电压在ap-Cu2ZnSnS4 / n-GaN异质结光电二极管中的替代光谱光响应

  2. 我们报告p-Cu2ZnSnS4（p-CZTS）/ n-GaN异质结光电二极管中的替代可见光和紫外光响应光谱。使用磁控溅射法将CZTS膜沉积在n-GaN /蓝宝石衬底上。 p-CZTS / n-GaN异质结光电二极管的电流-电压特性显示出良好的整流性能。这光谱响应测量表明，可以通过施加零偏和反向偏压将光电二极管的响应波长从紫外线调谐到可见光区域。提出了在p-CZTS / n-GaN异质结界面处的能带对准来解释器件的光谱响应。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：385024
    • 提供者：weixin_38590685

  1. n-ZnO / p-NiO异质结发光二极管的紫外电致发光

  2. n-ZnO / p-NiO异质结的制备方法是：通过射频磁控溅射在c面蓝宝石上沉积p型NiO膜，然后通过等离子体辅助分子束外延在nO膜上生长n型ZnO膜。异质结表现出类似于二极管的整流特性，其开启电压约为3.6 V，并且在施加正向偏压时会发出紫外光。随着注入电流从0.5 mA增加到3.5 mA，UV发射的强度增加，但是UV发射的波长从404 nm减小到387 nm。结果表明，紫外线的发射来自ZnO层中电子和空穴的近带边辐射复合。在本工作中讨论了紫外线电致发光的机理。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：360448
    • 提供者：weixin_38733355

  1. Cu2ZnSnS4 / ZnO异质结界面处的能带排列：X射线光电子能谱和第一性原理研究

  2. 通过X射线光电子能谱法确定了Cu2ZnSnS4（CZTS）/ ZnO异质结界面处的能带排列。 S2p和O1的核心水平用于对齐价带偏移（VBO）。确定VBO为1.78±0.10 eV，并推导导带偏移（CBO）为0.09±0.10 eV，这表明CZTS / ZnO异质结具有I型能带对准。此外，基于混合功能方法的第一性原理计算还表明，CZTS / ZnO界面具有I型能带对准，很好地支持了我们的实验结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38584731
« 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 12 13 ... 48 »