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搜索资源列表

  1. AlGaN日盲雪崩光电二极管暗电流机制分析

  2. AlGaN日盲雪崩光电二极管暗电流机制分析，邵振广，陈敦军，我们通过模拟计算和透射电镜分析研究了AlGaN雪崩层与吸收层分离的SAM型日盲雪崩探测器的暗电流传输机制。发现AlGaN日盲雪崩探测器中�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-12
    • 文件大小：706560
    • 提供者：weixin_38521169

  1. 雪崩光电二极管应用特性的仿真研究

  2. 雪崩光电二极管应用特性的仿真研究，优秀范例

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-07-10
    • 文件大小：327680
    • 提供者：yuanlaiwang

  1. 雪崩光电二极管的工作原理

  2. 概念 在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。 主要特性 ①雪崩增益系数M（也叫倍增因子），对突变结式中V为反向偏压，VB为体雪崩击穿电压；n与材料、器件结构及入射波长等有关，为常数，其值为1～3。 ②增益带宽积，增益较大且频率很高时，M（ω）·ω式中ω为角频率；N为常数，它随离化系数比缓慢变化；W为耗尽

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：118784
    • 提供者：weixin_38747025

  1. 雪崩光电二极管原理结构

  2. 雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构（即N+PIP+型结构，P+一面接收光），工作时加较大的反向偏压，使得其达到雪崩倍增状......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38614825

  1. 雪崩光电二极管AD500-9 详细介绍

  2. 雪崩光电二极管AD500-9 详细介绍 做电路的参考资料

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-04-02
    • 文件大小：220160
    • 提供者：grife

  1. 元器件应用中的利用DS1841对数电阻优化雪崩光电二极管（APD）的偏置范围

  2. 摘要：本文阐述了如何使用DS1841对数电位器调节APD偏置电路的输出范围。为了使调节过程更简单，本文还提供了电子数据表。 　　APD偏置电路 　　DS1841可受温度控制的非易失(NV)、I2C对数电位器包含了一个7位对数变化的电阻器。通过与升压型DC-DC转换器相配合，DS1841能够调节施加在雪崩光电二极管的偏置电压。利用三个外部电阻(RSER、RTOP和RPAR)调节输出范围(图1)。 　　图1. 利用DS1841和升压型DC-DC转换器(此处为MAX5026或MAX152

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：139264
    • 提供者：weixin_38627521

  1. 元器件应用中的雪崩光电二极管反向电流的测量

  2. 雪崩光电二极管（APD）是一种高灵敏度、高速度的光电二极管。施加反向电压时，能启动其内部的增益机构。APD的增益可以由反向偏置电压的幅度来控制。反向偏置电压越大增益就越高。APD在电场强度的作用下工作，光电流的雪崩倍增类似于链式反应。APD应用于对光信号需要高灵敏度的各种应用场合，例如光纤通讯、闪烁（scintillation）探测等。 　　对APD的测量一般包括击穿电压、响应度和反向偏置电流等。典型APD的最大额定电流为10-4到10-2A，而其暗电流则可低达10-12到10-13A的范围。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38683848

  1. 元器件应用中的基于ADL5317的雪崩光电二极管（APD）偏压控制/光功率监测电路的设计

  2. 1 引言 　　目前，雪崩光电二极管(APD)作为一种高灵敏、能精确接收数据和测量光功率的光探测器件广泛应用于光纤传感、光纤通信网络中。它借助于内部强电场作用产生雪崩倍增效应，具有极高的内部增益(可达102～104量级)。然而，APD随温漂的变化严重影响其增益的稳定性．甚至引起测量精度的恶化。理论上可以证明APD的增益是其偏压V和温度T的函数，二者共同决定APD工作时的增益，而且在维持APD增益比较恒定的条件下，其偏压和温度之间存在一定的关系。因此。可以控制APD的偏压使之随温度按一定的规律改

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：196608
    • 提供者：weixin_38571453

  1. 硅单光子雪崩光电二极管上锗的Geiger模近室温工作的晶片键合结构设计

  2. 硅单光子雪崩光电二极管上锗的Geiger模近室温工作的晶片键合结构设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38722721

  1. GaN雪崩光电二极管的电场分布和器件设计

  2. 我们研究了在不同的反向偏置值下，pin型和独立吸收与倍增（SAM）型GaN雪崩光电二极管中电场的分布。 我们还分析了每一层参数（包括宽度和浓度）对电场分布（尤其是击穿电压）的影响。 发现较高的p-GaN浓度（高于1x10（18）cm（-3））和较低的i-GaN载流子浓度（低于5x10（16）cm（-3））有助于限制电场并降低击穿电压。 在SAM（PININ）结构，合适的选择应为浓度与中间的n-GaN层的厚度，以恶化为销结构降低击穿电压和防止设备制成。 最后，提出了各层材料的优化参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：610304
    • 提供者：weixin_38606019

  1. 太阳盲AlGaN雪崩光电二极管的改进设计

  2. 太阳盲AlGaN雪崩光电二极管的改进设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：791552
    • 提供者：weixin_38618312

  1. Si单光子雪崩光电二极管上键合Ge的Geiger模式理论研究

  2. Si单光子雪崩光电二极管上键合Ge的Geiger模式理论研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-07
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38724154

  1. 高精度测距仪用的硅雪崩光电二极管激光器

  2. 高精度测距仪用的硅雪崩光电二极管激光器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38675969

  1. 雪崩光电二极管的光谱响应特性

  2. 在微光成像系统中，为了克服限制微光像增强器和红外成像器件灵敏度提高的技术瓶颈，应用了由探测器输出的光子个数推断出目标特征的光子计数技术。采用雪崩光电二极管作为探测器，将其工作状态设置在盖革模式下。通过分析和计算，雪崩光电二极管可以实现单光子数量级的高灵敏度探测。根据夜天光的光谱分布特点和典型目标的反射特性，仿真得到了在晴朗星光环境下雪崩光电二极管与绿色植被、混凝土和暗绿色涂层的光谱匹配因子分别为：0.4972，0.5021和0.4979。提高了夜天光近红外辐射的利用率，为构建以雪崩光电二极管为核

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38750999

  1. 基于雪崩光电二极管的正交频分复用10 Gb/s无源光网络下行方向传输性能研究

  2. 无源光网络(PON)通常采用二进制非归零码(NRZ)调制技术，该技术存在如下缺点：系统的频谱效率最低，对无源光网络中相邻射频(RF)电视信道产生拉曼串扰影响，以及高速传输时光纤色散代价大。为了克服上述问题，采用了将正交频分复用(OFDM)调制技术应用于PON系统的解决方法。对基于强度调制和雪崩光电二极管(APD)直接检测的10 Gb/s 16位正交幅度调制(16QAM)OFDM-PON系统进行了100 km的下行方向传输实验。实验结果表明，在误码率（BER）水平为1×10-3的条件下，系统接收灵

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38603204

  1. 锗雪崩光电二极管光接收元件研制成功

  2. 日本电气公司和电信电话公司武野藏电气通信研究所共同研制出一种可靠性好，而且实用的锗雪崩光电二极管光接收元件，该元件在波长为1.3微米处暗电流和量子效率良好。这一成果发表在四月份举行的电子通信学会光-量子电子学研究会上。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38665629

  1. 雪崩光电二极管的雪崩发光串扰研究

  2. 在使用时间关联单光子计数的量子保密通信、量子密码术等量子光学领域中，雪崩光电二极管(APD)拥有广泛的应用。然而在其工作过程中，吸收层接收到光子形成载流子，载流子个数在倍增层进行指数型增益，每个载流子通过P-N 结结点均有一定概率发出光子，发出的光子在一定条件下会串扰进入另一个雪崩二极管。在盖革模式下进行单光子探测时，这种串扰光子会严重影响时间关联单光子计数的实验结果。研究了APD 雪崩原理，实验中做出了串扰峰对比度比较高的现象，分析了影响串扰峰间距和形状的因素，提出通过光隔离规避串扰现象，并通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38746818

  1. 基于独立吸收分级电荷倍增雪崩光电二极管（APD）的光接收器的新型等效电路模型

  2. 基于独立吸收分级电荷倍增雪崩光电二极管（APD）的光接收器的新型等效电路模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：430080
    • 提供者：weixin_38649657

  1. 分离吸收分级电荷倍增雪崩光电二极管的等效电路建模

  2. 本文针对分离吸收分级电荷乘积（SAGCM）雪崩光电二极管（APD）的频率性能开发了一种新型等效电路模型，该模型包括载流子传输时间，雪崩累积时间和寄生RC元件的影响。 基于等效电路模型，可以在器件制造之前对SAGCM APD的频率和带宽特性进行仿真，仿真结果与实验数据吻合良好。 当M = 1时，也可以模拟传统的Pin光电二极管。 此外，还研究了SAGCM APD和针状光电二极管在不同照射方向下的频率响应。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：266240
    • 提供者：weixin_38534352

  1. InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计

  2. 设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管（APD），并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计，省略了保护环等结构；并使用双层掺杂，有效降低了增益区电场的梯度变化。由于结构简单，因此仅需要利用分子束外延(MBE)生长精确控制每层结构即可。由于InAlAs材料的空穴与电子的离化率有较大的差异，因此器件具有较低的噪声因子。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38748382
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