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搜索资源列表

  1. 光学红外技术论文集合

  2. 1. 倍波长法测温中的比辐射率修正方法 2. 科学级CCD X光探测中PCI9030接口芯片的应用 3. 利用低帧频光机扫描获取高时间分辨率的新方法 4. 碲镉汞红外探测器的PSPICE模型 5. 微波治疗仪中的温度监测 6. 2048焦平面制冷系统 7. 用一种新方法生长的截止波长10μm以上的InAsSb 单晶 8. 3-5 μm室温探测器用InAs/InAsSb 和InAs/InAsPSb 的液相外延生长 9. 航空高光谱遥感数据用于江河水质分类研究 10. 一种用于近红外高精度光辐射定

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-06-22
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：taoxinglin

  1. 具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED(英文)

  2. 对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaN LED进行了理论数值比对研究。研究结果表明,对于传统结构的LED而言,2个量子阱的结构相对于5个和7个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的LED,研究结果显示,三角形多量子阱结构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子-空穴波函数重叠率和低的Stark效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：791kb
    • 提供者：weixin_38501299

  1. 使用AlGaN电子阻挡层和InAlN电子阻挡层比较GaN基发光二极管

  2. 通过使用AlGaN和InAlN数值研究了GaN基发光二极管（LED）的光学特性电子阻挡层（EBL）。 通过发射光谱，载流子浓度分布的模拟， 能带，静电场，内部量子效率和输出功率，结果表明LED 与采用AlGaN EBL的原始LED相比，采用InAlN EBL结构的设计具有更好的性能。 频谱强度和输出功率显着提高，内部量子效率下降InAlN EBL结构的这种设计有效地提高了效率。 事实证明，载体的优势限制和电子泄漏电流在LED的发光性能中起着至关重要的作用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-10
    • 文件大小：602kb
    • 提供者：weixin_38526612

  1. 空位缺陷对GaN：Fe电子结构和光学性能的影响

  2. 使用基于密度泛函理论的第一性原理计算，我们研究了同时具有氮空位（VN）和镓空位（VGa）缺陷的GaN和6.25％Fe掺杂的GaN的光电性能。 通过分析能带结构，电子态分布，介电函数，吸收系数，折射率，反射率，能量损耗谱和消光系数，系统地讨论了空位缺陷对掺杂体系电子结构和光学性能的影响。 我们的结果预测，N缺陷GaN：Fe是间接带隙半导体，而Ga缺陷GaN：Fe是直接带隙半导体。 VN是一种供体缺陷，导致费米能级的升高。 而VGa是受主缺陷，它在禁带附近引入自旋极化缺陷状态。 主体中的天然空位点缺

  3. 所属分类：其它

  1. AlN缓冲液对6H-SiC衬底上生长的GaN薄膜物理性能的影响

  2. 在这项研究中，通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上制备了具有AlN缓冲层的1.5微米厚的GaN膜。 为了确定AlN缓冲液的生长条件对GaN薄膜的晶体质量和应力状态的影响，进行了两个系列的实验。 通过优化AlN缓冲液的生长条件，GaN薄膜的（0002）半峰全宽和摇摆曲线分别提高到136和225 arcsec。 获得具有0.332nm的小均方根粗糙度的光滑表面，并且观察到优异的光学性质。 同时，在一定程度上通过增加AlN缓冲层的生长温度和厚度来降低GaN膜中的位错密度和拉伸应力。 此外，通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-03
    • 文件大小：768kb
    • 提供者：weixin_38508497

  1. 强电场下GaN晶体的A（1）（纵向光学）模式红移

  2. 我们研究了强电场作用下GaN晶体的性能。 使用紫外线激光测量GaN的拉曼光谱，并观察到A（1）（LO）模式的明显红移。 讨论了表面耗尽层的作用，并揭示了电场与声子之间的相互关系。 第一性原理计算表明，尤其是，沿[0001]方向振动的声子受到电场的强烈影响。 通过表面光电压实验证实了该效果。 结果揭示了红移的起源，并展示了在强电场下GaN的声子性质。 （c）2018年日本应用物理学会

  3. 所属分类：其它

  1. 纤锌矿GaN/Al

  2. 采用改进的Lee-Low-Pines变分方法研究纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱材料中磁极化子能级，给出纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中磁极化子基态能量随阱宽L和外磁场强度B的变化关系以及跃迁能量和回旋频率随磁场强度变化的函数关系。计算中考虑了纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中光学声子模的各向异性和电子与光学声子之间的相互作用。为了定量分析和对比,还给出了闪锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中磁极化子能量和回旋频率的相应值。

  3. 所属分类：其它

  1. 电场对掺锌InGaN / GaN量子点中光学特性的影响

  2. 在有效质量包络函数理论的框架下，从理论上研究了电场对掺锌（ZB）InGaN / GaN量子点（QD）中激子态和光学性质的影响。 数值结果表明，电场使InGaN / GaN QD中的基态激子结合能，带间跃迁能，振荡器强度和线性光学磁化率显着降低。 艾里斯还发现，在大尺寸量子点中，电场对激子态和光学性质的影响要明显得多。 此外，基态激子结合能和振荡器强度对铟组成较小的InGaN / GaN QD中铟组成的变化更为敏感。 一些数值结果与实验测量结果一致。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：526kb
    • 提供者：weixin_38706045

  1. 注入铜的GaN膜的结构，光学和磁性

  2. 已经研究了注入铜的GaN膜的结构，光学和磁性。 在仪器的分辨率极限内未发现第二相，但薄膜中存在晶格缺陷，如空位。 观察到室温铁磁性，饱和磁化强度为0.3μ（B）/ Cu原子。 场冷的磁化曲线可以分别通过居里-魏斯模型和标准三维自旋波模型分别在低温和​​高温范围内拟合。 我们的发现表明，在理解观察到的铜注入的GaN薄膜的磁性能时，应考虑空位缺陷。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：341kb
    • 提供者：weixin_38689041

  1. 光子学，量子电子学，光学和光谱学072001表面等离激元与InGaN / GaN量子阱耦合作用的机理：增强和抑制光致发光强度

  2. 已经系统地研究了与InGaN / GaN量子阱（QW）耦合的表面等离子体（SP）上的光致发光（PL）强度增强和抑制机理。 比较了在不同温度和激发功率下，涂有银薄膜的GaN盖层区域中的SP-QW耦合行为。 发现发光二极管（LED）的内部量子效率（IQE）随温度和激发功率而变化，这继而导致异常发光增强和与SP-QW耦合有关的抑制趋势。 通过SP的提取效率和LED的IQE之间的平衡来解释该观察结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：428kb
    • 提供者：weixin_38649657

  1. GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势

  2. 氮化镓(GaN)基蓝光和绿光激光器在投影显示、激光加工、激光照明、存储等领域具有重要的应用前景与广泛的市场需求。本文着重介绍了GaN基蓝光和绿光边发射激光器的技术难点和相应的解决方案。在GaN基蓝光与绿光激光器中,就制备高质量InGaN/GaN多量子阱、减少内部光学损耗、增加空穴注入效率等方面分别介绍了一些结构与工艺方面的优化方法。简要介绍了垂直腔面发射激光器(VCSEL)、分布式反馈激光器(DFB)的研究现状。

  3. 所属分类：其它

  1. 电子束辐照对GaN基蓝光LED性能的影响

  2. 研究了低能电子束辐照（LEEBI）对大功率GaN基蓝光LED性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光LED进行LEEBI，并对比未辐照的LED，研究其电学性质和光学性质的变化。结果表明，在电子束辐照下，LED发光强度提高，正向电压变小，击穿电压变小。同时利用电子束辐照机理对实验结果进行了分析和讨论。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：702kb
    • 提供者：weixin_38708707

  1. 人体模式静电放电对GaN基大功率发光二极管特性的影响

  2. 对GaN基大功率蓝光发光二极管（LED）分别施加了-200，-400，-600，-800，-1100和-1500 V的反向人体模式静电打击，每次静电打击后，测量样品电学参数和光学参数的变化，研究了静电对LED可靠性的影响，并从理论上分析了相关衰减机理。结果表明，在-200，-400，-600和-800 V的打击后，有明显的软击穿，这是因为在有源区和限制层中产生了缺陷；在-1100 V和-1500 V的打击后，漏电很大并且光通量衰减为打击前的50%，这是因为大的静电使得有源区产生熔融细丝，导致小电

  3. 所属分类：其它

  1. 半导体照明中的非成像光学及其应用

  2. 以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源, 具有其他传统光源无法比拟的诸多优点, 被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势, 利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计, 以高端半导体照明光源的制造为突破点, 带动整个半导体照明产业的快速进步, 已成为半导体照明技术发展的战略选择。回顾了非成像光学的历史、研究进展以及在半导体照明中的应用, 并通过设计实例, 介绍了面向功率型LED光线耦合、二维给定光分布以及三维给定光分布问题的非成像光学系

  3. 所属分类：其它

  1. GaN外延衬底LiGaO

  2. LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验,用提拉法生长了尺寸为<15×60mm的高质量LiGaO2单晶。利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响。LiGaO2晶体在〈100〉方向生长速率最快,在〈001〉方向上生长较慢。由于原料按非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生C-Ga2O3包裹物。包裹物和位错的形成具有一定的相互促进作用,往往形成平行于(001)面的亚晶界。通过调整

  3. 所属分类：其它

  1. Al

  2. 使用AlN插入层方法由金属有机化学气相沉积(MOCVD)在GaN上生长的不同Al组分的AlxGa1-xN以及掺Mg Al0.54Ga0.46N。使用阴极荧光的测试方法先后对未掺杂AlxGa1-xN和掺杂Mg的Al0.54Ga0.46N的光学性质进行了研究。研究表明，随着Al组分增大，横向组分分凝对AlGaN发光强度的影响逐渐减小；掺Mg后AlGaN薄膜质量下降，并且Al0.54Ga0.46N中的Mg相关光激发过程主要取决于导带受主对复合发射和施主受主对复合发射。

  3. 所属分类：其它

  1. 厚度对GaN薄膜的发光性能的影响

  2. 研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同厚度GaN薄膜的吸收截止边均在3.38 eV附近，在它们的光致发光(PL)光谱中也观察到了相同位置带边峰。利用透射谱和光致发光光谱中的干涉条纹估算了薄膜的厚度，一致地反映了它们产生的机制相似。正面照射下光致发光光谱中未能观察到明显的黄光带，却观察到了明显的蓝光带，并且随着厚度的增加蓝光带的峰位发生蓝移，发光强度增加，认为这一现象产生的原因是厚度增加的同时杂质

  3. 所属分类：其它

  1. GaN光学研究

  2. GaN光学

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-22
    • 文件大小：15kb
    • 提供者：jfkj2021