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  1. 开关功率MOS扫盲篇.pdf

  2. N沟进，P沟出　我的理解是N沟道　是电压从D沟进去，从S出来。　　P沟道　是电压从S沟进去，从D出来， 开关功率MOS扫盲篇 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等， 也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性， 驱动以及应用电路。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-26
    • 文件大小：75kb
    • 提供者：mieningtsai

  1. 功率MOSFET的结构和工作原理.pdf

  2. 摘要：文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性，并对动态特性的改进进行了论述，简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词：MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-03-10
    • 文件大小：290kb
    • 提供者：swzhahaha

  1. 可编程、多功能开关电源芯片解决方案.pdf

  2. Topswitch FX采用成熟的Topswitch拓扑结构，成本高效地集成了许多新功能，可降低系统成本，同时提高设计灵活性、性能和能源效率。与Topswitch一样，高压功率MOSFET、PWM控制、故障保护和其他控制电路都集成在一个CMOSchip上，但增加了两个终端。第一个是多功能（M）插脚，它实现了可编程的lineov/uv关闭和线路前馈/dcmax降低与线路电压。可以使用同一个管脚代替外部设置精确的电流限制。在任何一种情况下，该管脚也可用于远程开/关或使振荡器与外部低频信号同步。第二

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：634kb
    • 提供者：weixin_39840515

  1. 英飞凌2500W图腾杆全桥功率因数校正演示板操作教程.pdf

  2. 这是一个应用说明，专用于英飞凌的2500瓦图腾杆全桥功率因数校正（PFC）演示板，包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器，以及1EDI高压MOSFET驱动程序。   这个演示板展示了一个高效的PFC阶段，它利用Infineon的CoolGantm技术的优势，将系统效率提高到99%以上，用于服务器或电信整流器等效率关键的应用。   增强模式（E模式）氮化镓（GaN）半导体的一个独特优势是完全没有任何反向恢复电荷，GaN是一种宽带隙

  3. 所属分类：其它

  1. AT4931 三相无刷直流电机预驱动芯片.pdf

  2. AT4931是一款三相无刷直流电机预驱动芯片，能够在较宽的电压范围内驱动N沟道功率MOSFET，且电机电源最高可支持到30V。换相逻辑由三个相位差为120°的霍尔元件确定。 AT4931其它特性包括:具有固定关断时间的脉宽调制(PWM)电流控制:延迟时间可调的堵转保护；热关断保护；过压监控和同步整流。内置的同步整流电路在电流衰减时开启对应的MOSFET，低导通阻抗的MOSFET将体二极管短接，从而降低功耗。在电机线圈续流过程中，当电源电压上升到高于过压保护阈值时，同步整流功能被禁用。 AT49

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-05-20
    • 文件大小：394kb
    • 提供者：weixin_47298284

  1. 功率MOSFET关键参数解读.pdf

  2. MOSFET关键参数的解读： VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-04-03
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：salsuki

  1. TL4941.pdf

  2. TL494于1980年代初由德州仪器公司设计并推出，推出后立刻得到市场的广泛接受，尤其是在PC机的ATX半桥电源上。直至今日，仍有相当比例的PC机电源基于TL494芯片。多年来，作为最廉价的双端PWM芯片，TL494在双端拓扑，如推挽和半桥中应用极多。由于其较低的工作频率以及单端的输出端口特性，它常配合功率双极性晶体管（BJT）使用，如用于配合功率MOSFET则需外加电路

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-03-12
    • 文件大小：616kb
    • 提供者：weixin_38679411

  1. 实现高功率密度的工业电源.pdf

  2. 实现高功率密度的工业电源pdf,工业电源必须满足一些特殊的要求，如低能耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，以及其他在普通电源中不常见的特性。的电阻/电容网络可对输入电压进行样。电感之后是带栅板保护电路的 电源开关,PFC整流器为 StealthTM二极管。接下来使用一个电阻分压 器来感测和调节PFC级的输出电压,反馈回路至此结束。总线电容也如 图2所示,而二极管D1是一个额外的保护器件。 图2PFC级的原理小意图 这里采用的控制器是FAN4810,该器件包含了先进的半均电流“升 压”型功率因薮校

  3. 所属分类：其它

  1. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）.pdf

  2. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）pdf,UCC3809设计反激变换器（50W）在反激变换器中,变压器实际上是一个多绕组的耦和电感,变压器磁芯提 供耦合及隔离,而电感量给出储能大小,储存在空气隙中的电感的能量如下式 E Lp·(PEAK 2 (2) 此处,E为焦耳,Lp为初级电感,单位为享利。 Ipeak为初级电流,单位安 培。当开关导通时,D1反向偏置,没有电流流过二次绕组,初级绕组中流过斜 率如下式的电流 IN(min)v Rds(on) △t P (3) 此处,V1N(min)与

  3. 所属分类：其它

  1. 矽瑞微科-MOS-CR12N65.pdf

  2. 矽瑞微科-MOS-CR12N65pdf,场效应管 CR12N65的规格书，介绍了包含特点、应用、参数、特性尺寸、机械封装等维度的信息。然深圳面微科电千有眼公 TEL0755-83953497 FA:0755-83953597 N沟道功率Mos管 N-CHANNEL POWER MOSFET ●特性曲线 150 30V V=10y sc.am:45￥ 十口!二二+二 子十 二二二+1 s叶一 1250PT 2T=2c ′ce:T=25c Drain arren Vre, Drain- Source

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：323kb
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 矽瑞微科-MOS-CR8N65.pdf

  2. 矽瑞微科-MOS-CR8N65pdf,场效应管CR8N65的规格书深础瑞微利:币行眼 TEL0755-83953497 FA075583953597 N沟道功率Mos管/ N-CHANNEL POWER MOSFET ●特性曲线 35 T 5 m:55v Vre, Drain Souroe votage M Drain arret四 图1输出特性曲线,Tc=25℃ 图2导通电阻与漏极电流和栅极电压曲线 Figl Typical Output Characteristics, Tc-25C Fig

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：378kb
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu

  3. 所属分类：其它

  1. 【会议PPT】鼎阳-开关电源测量中的“干货”问题交流.pdf

  2. 【会议PPT】鼎阳-开关电源测量中的“干货”问题交流pdf,示波器带宽通常是指模拟带宽。是指示波器前端放大器的幅频特性曲线的截止频率点。也就是正弦波输入信号被衰减到信号真实幅度70.7%时的频率，也称为-3dB截止频率点。电源测试项目 看波形 测电压 测电流 测损耗 电源质量 冲击电流 输入 输出 电流谐波 调制分析 开关元件 动态导通电阻 电源路径 安全工作区SOA 控制回路 开启/关断特性 转换速率 开关损耗 原效率 G SIGLENT www.siglent.com 开关电源测试点&测试

  3. 所属分类：其它

  1. 功率MOSFET的特性.pdf

  2. 功率MOSFET的特性pdf,本资源主要讲解了绝对最大额定值及电特性、输出静态特性、频率特性、开关特性、输入动态特性、温度特性等相关MOSFET的特性内容。

  3. 所属分类：其它

  1. LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdf.pdf

  2. LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdfpdf,LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdfLED的效率提升得很快:目前大功率白光平均光输出为60~80流明每瓦(lmW),2008年底有 望达到120lmW。LED的长寿命让固态照明非常有吸引力。机械上SSL也比白炽灯和荧光灯 更坚固。目前固态照明还未能实现家用,因为丕需要电源转换,而且比较昂贵,尽管成本正 在下降。闪光LED日前已经广泛应用了。 白炽灯泡丰常便宜,但效率也很低,家用钨丝灯为6Im/W,卤素灯大约为22lmW。荧光 灯效率很高,50到

  3. 所属分类：其它

  1. AP8012H：VIPER12A升级版本，pin对pin替代 -AP8012H Datasheet 中文版Rev.A.1704.pdf

  2. AP8012H：VIPER12A升级版本，pin对pin替代 -AP8012H Datasheet 中文版Rev.A.1704.pdfAP8012H 电气特性 (T,=25℃C,V=15V;特殊情况另行说明) 表3.功率部分 符号 参数 测试条件 最小 典型最大单位 B VDSS 功率管耐压 250uA 750 820 OFE 关态漏电流 Ⅴsw=550V uA oN|功率管导通电阻 400mA.T=25°C 18 表4.控制部分 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大单位 欠压保护部分 VsT

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：356kb
    • 提供者：weixin_38743506

  1. pin对pin替代VIPER22A-AP8022H Datasheet 中文版Rev.A.1702.pdf

  2. pin对pin替代VIPER22A-AP8022H Datasheet 中文版Rev.A.1702.pdf电气特性 (T=25°℃C,V=15V:特殊情况另行说明) 表功率部分 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大单位 B VDSS 功率管耐压 ISw-250uA 750 800 关态漏电流 Ⅴsw=550v 100 uA R - DSON 功率管导通电阻 Isw=400mA,T.=25°C 表控制部分 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大单位 欠压保护部分 VSTART欠压保护后动电压 V

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：344kb
    • 提供者：weixin_38744207

  1. MOSFET 应用说明（茂钿）.pdf

  2. 功率 MOS FET应用说明： 1：电特性的意义和活用方法。2：功率MOSFET的破坏机理和对策。3：功率MOSFET的应用

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-09-27
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：qweasdis123