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  1. 基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究.pdf

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  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:15728640
    • 提供者:weixin_38744153
  1. MOSFET系列资料.doc

  2. MOSFET系列资料doc,众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性,并为器件选择提供指导。最后,解释了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的数据表。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:603136
    • 提供者:weixin_38744207
  1. 开关电源中几种常用的MOSFET驱动电路

  2. MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-17
    • 文件大小:61440
    • 提供者:weixin_38545463
  1. 电源设计DC/DC开关控制器的MOSFET选择

  2. DC/DC开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内,必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中,这种情况会变得更加复杂。 图 1—降压同步开关稳压器原理图DC/DC 开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如,同时拥有一个高侧 FET和低侧 FET 的降压同步开关稳压器,如图 1 所示。这两个 FET 会根据控制器设置的占空比进行开关操
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-13
    • 文件大小:186368
    • 提供者:weixin_38631729
  1. 新的单路电气隔离栅极驱动器具有独立的导通/关断输出

  2. 意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能,可用于各种开关拓扑控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。 STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚,为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在MOSFET关断状态时,该引脚可将所连MOSFET的栅电压限制在隔离接地电压,直到下一个真正的导通信号出现为止。 STGAP2SM具有独立的导通/关断输出,可配合两个外部
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:73728
    • 提供者:weixin_38682279
  1. 介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路

  2. MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:160768
    • 提供者:weixin_38641876
  1. 同步整流降压式DC-DC变换器应怎样选择MOSFET?

  2. 本文以最基础一种同步整流降压式变换器电路系统为例,来进行MOSFET的选型分析和介绍。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-22
    • 文件大小:52224
    • 提供者:weixin_38692184
  1. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  2. 随着电力电子技术的发展,各种新型的驱动芯片层出不穷,为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路,外围电路大大减少,使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁,.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单,高效,快速的驱动芯片。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-30
    • 文件大小:150528
    • 提供者:weixin_38731239
  1. 为D类放大器选取合适的参数

  2. 高效率,低失真,以及优异的音频性能都是D类放大器在这些新兴的大功率应用中得到广泛应用的关键驱动因素。然而,如果输出功率桥接电路中的MOSFET如果选择不当,D类放大器的上述这些性能将会大打折扣,特别是输出功率比较大的时候。因此,要设计一款具有最佳性能的D类放大器,设计师正确理解驱动喇叭的器件关键参数以及它们如何影响音频放大器的性能是至关重要的。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-27
    • 文件大小:95232
    • 提供者:weixin_38609720
  1. 开关电源设计:何时选择BJT优于MOSFET?

  2.   MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中,与MOSFET相比,双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中,成本和高电压(大于 1kV)是使用BJT而非MOSFET的两大理由。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-25
    • 文件大小:61440
    • 提供者:weixin_38667408
  1. 降压式DC/DC转换器的MOSFET选择

  2. 同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路,但用户的使用条件经常与典型应用电路不同,要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-11
    • 文件大小:202752
    • 提供者:weixin_38672807
  1. 电源技术中的浅谈脉冲驱动变压器

  2. 在开关电源设计中,常常会用到驱动变压器来实现隔离、浮地、增大驱动能力等目的,是电源中非常重要的一部分,如果设计不好直接决定整个项目的成败,以及电源产品的品质好坏。     1、采用驱动变压器的原因     在开关电源设计中有较常用的电路拓扑:外驱BUCK、外驱BOOST、推挽、半桥、全桥、双管反激、双管正激等,这些电路拓扑中的开关管需要浮地、或互补、或同频同相同幅驱动,在手头只有较常规的单输出PWM控制芯片,又不想再增加成本引进新驱动芯片的情况下,采用驱动变压器是最好的选择,它不仅用作开关电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:150528
    • 提供者:weixin_38594252
  1. 电源技术中的开关电源的主要测试点

  2. 调试开关电源时,除了用电压表测量控制电路中相关元器件引脚的电压外,更重要的是用示波器观测相关的电压波形,以便判断开关电源是否处于最佳工作状态。本篇文章主要讲解示波器测试点的选择。例如,测试点为PWM控制芯片的输出引脚时,可用示波器同时测量驱动脉冲的幅度和占空比这两个重要参数。     测试点的选择非常重要,测试点选择合理,既可以保证调试安全,又可以反映出开关电源的工作状态,能够简化调试过程。     开关电源的测试点选择如图7-3-1所示。测试点TP
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:147456
    • 提供者:weixin_38662122
  1. 电子维修中的详解如何为D类放大器选取合适的参数

  2. 通过控制开关单元的ON/OFF,驱动扬声器的放大器称D类放大器。以前的模拟放大器的效率停留在50%左右,剩下的50%主要作为热量被消耗。D类放大器的效率相当高,达到80~90%.不仅不浪费电源,有效地利用电源,还能得到较大的功率输出。   随着半导体器件和电路技术的最新发展,如今D类音频放大器在电视/家庭娱乐,音响设备和高性能便携式音频应用中得到广泛的应用。高效率,低失真,以及优异的音频性能都是D类放大器在这些新兴的大功率应用中得到广泛应用的关键驱动因素。然而,如果输出功率桥接电路中的MOSFE
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:260096
    • 提供者:weixin_38620267
  1. 电源技术中的一种求解每个热源功率损耗的新方法

  2. 一  引言   DC-DC转换器的效率和功率损耗是许多电子系统的一个重要特征参数。可以测量出这些特征参数,并用下面的直观方式进行表达:   效率 = 输出功率 / 输入功率         (1)   功率损耗 = 输入功率-输出功率   (2)   但是对于每个元器件做为一个单独热源在损耗中所占的比重,这样的结果没有提供任何信息。而我们的方法学能让设计者更好地选择针对其应用的最佳DC-DC实现方案。 二  降压转换器的实例   降压转换器中的主要热源是高边MOSFET、低边MOSF
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:196608
    • 提供者:weixin_38746818
  1. 高压MOSFET选择技巧

  2. 高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化,给电源工程师带来了不少选择。只要提供有关不同技术的使用指南,就可以帮助工程师选择合适的部件以达成其应用的效率和成本目标。了解不同MOSFET部件的细微差别及不同开关电路中的应力,能够帮助工程师避免诸多问题。本文除介绍简单的导通阻抗RDS(on) 以及其它MOSFET相关元素之外,并会探讨更高电流密度与更快开关速度及的意义,提供使用更先进的MOSFET取代旧型MOSFET的经验法则,并探讨在设计中利用新型MOSFET来获得更低RDS(on) 与更低
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    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:111616
    • 提供者:weixin_38684976
  1. 电源技术中的CoolMOS CFD2:提升电源系统可靠性的有效选择

  2. 摘要   近来, LLC拓扑以其高效,高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐,但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机,动态负载,过载,短路等情况下。Infineon CoolMOS CFD2系列以其高击穿电压,快恢复体二极管,低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。   1. 引言   长期以来, 提升电源系统功率密度,效率以及系统的可靠性一直是研发人员面临的重大课题。 提升电源的开关频率是其中的方法之一, 但是频率
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:619520
    • 提供者:weixin_38725086
  1. 基于电感开关电源的功率开关功耗

  2. 基于电感的开关电源(SM-PS)包含一个功率开关,用于控制输入电源流经电感的电流。大多数开关电源设计选择MOSFET作开关(图1a中Q1),其主要优点是MOSFET在导通状态具有相对较低的功耗。     MOSFET完全打开时的导通电阻(RDS(ON))是一个关键指标,因为MOSFET的功耗随导通电阻变化很大。开关完全打开时,MOSFET的功耗为ID2与RDS(ON)的乘积。如果RDS(ON)为0.02W,ID为1A,则MOSFET功耗为0.02*12=0.02W。功率MOSFET的另一功耗
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    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:94208
    • 提供者:weixin_38584731
  1. 接口/总线/驱动中的飞兆半导体推出汽车级高速、低端栅极驱动器系列

  2. 使用功率MOSFET的汽车应用要求栅极驱动器具备高峰值驱动电流和低输出阻抗。来自飞兆半导体的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽车合格栅极驱动器为电源和其他高效MOSFET开关应用带来了灵活性,可提供大量功能和性能组合选择以创建紧凑、高效和可靠的设计。   这些符合AEC-Q100标准的驱动器采用SO8封装,提供TTL或CMOS输入阈值选项。 这样便可确保最佳的设计兼容性。 这些驱动器每个通道有两个输入(双输入(+和-逻辑),反相和使能或同相和使能),提供
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:87040
    • 提供者:weixin_38605144
  1. 接口/总线/驱动中的飞兆提供1A至9A低端汽车用栅极驱动器

  2. 使用功率MOSFET的汽车应用要求栅极驱动器具备高峰值驱动电流和低输出阻抗。来自飞兆半导体的FAN31xx_F085和FAN32xx_F085系列高速、低端汽车合格栅极驱动器为电源和其他高效MOSFET开关应用带来了灵活性,可提供大量功能和性能组合选择以创建紧凑、高效和可靠的设计。   这些符合AEC-Q100标准的驱动器采用SO8封装,提供TTL或CMOS输入阈值选项。 这样便可确保最佳的设计兼容性。 这些驱动器每个通道有两个输入(双输入(+和-逻辑),反相和使能或同相和使能),提供了设计灵
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:51200
    • 提供者:weixin_38625448
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