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  1. 半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片？

  2. 本文分析了不同驱动方案的设计考虑因素、相关问题及解决之道，并从多个角度对比了这两种驱动方案。尽管精心设计的话，这两种驱动方案都可以良好工作，但安森美半导体建议选择诸如NCP5181这样的硅芯片驱动方案，在简化布线及设计的同时，也可避免变压器驱动方案的诸多问题，帮助设计人员缩短设计周期，加快产品上市进程。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：684032
    • 提供者：weixin_38626858

  1. 选择高压场效应管实现节能

  2. 经验证明，采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET，除简单地导通电阻上的差异之外，更重要的是，还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 在升压变换器中利用新型MOSFET减少开关损耗

  2. 升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率，设计者必须选择低开关损耗的MOSFET。在升压变换器中，利用QFET新型MOSFET能够有效地减少系统损耗。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：151552
    • 提供者：weixin_38659248

  1. LED恒流驱动器件MOSFET选择

  2. 常用的是NMOS.原因是导通电阻小，应用较为广泛，也符合LED驱动设计要求。所以开关电源和LED恒流驱动的应用中，一般都用NMOS.下面的介绍中，也多以NMOS为主。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：110592
    • 提供者：weixin_38722184

  1. 模拟技术中的电容-电压测量技术、技巧与陷阱

  2. 在“半导体C-V测量基本原理”一文中，我曾谈到，电容-电压(C-V)测试长期以来被用于判断多种不同器件和结构的各种半导体参数，适用范围包括MOSCAP、MOSFET、双极结型晶体管和JFET、III-V族化合物器件、光伏(太阳能)电池、MEMS器件、有机薄膜晶体管(TFT)显示器、光电二极管和碳纳米管等等。研发实验室广泛利用C-V测量技术*测新材料、工艺、器件和电路。负责产品和良率增强的工程技术人员利用它们优化工艺和器件性能。可靠性工程师利用这类测量技术对供货商的材料进行资格检验，监测工艺参数，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：223232
    • 提供者：weixin_38680340

  1. 模拟技术中的IGBT在大功率斩波中问题的应用

  2. 斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和可靠性，因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。 　　IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET（场效应晶体管）与GTR（大功率达林顿晶体管）结合，并由前者担任驱动，因此具有：驱动功率小，通态压降低，开关速度快等优点，目前已广泛应用于变频调速、开关电源等电力电子领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：287744
    • 提供者：weixin_38616033

  1. 电源技术中的反激变换器的RCD吸收回路设计实例

  2. 在这部分展示一个实例，适配器采用FSDM311，工作规范AC85～265V的输入电压范围。10W 输出功率、5V输出电压、67 kHz的开关频率。此时，RCD吸收回路选择1 nF吸收电容，480kΩ吸收电阻，图1示出波形。 　　漏电压（Vds 200V／div）、电源电压（VCC 5V／div）、反馈电压（Vfb 1V／div）、漏电流（Id 0.2A/div）按下面次序，内部MOSFET最大电压应为675V，数据表中给出为 650V。超出此值有二个原因，其一是变压器设计不当；其二是吸收回路设

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：262144
    • 提供者：weixin_38626858

  1. 电源技术中的简述控制驱动法的实现

  2. 为减小导通损耗及反向恢复损耗，同步整流需要精确的时间控制电路，虽然已有几种方法来产生控制信号，我们现在采用一种从反馈系统来有源控制的栅驱动信号的定时系统。其关键优点在于该电路将根据元件状态的变化来特别调节同步整流MOSFET中的不可控的电容。时间的延迟及温度变化对MOSFET阈值的影响都可以根据反馈环来校正。 　　为控制栅躯动的时间，在图1中使用了可调延迟的电路，该延时电路包含三个主要元件，一个延迟线，一个乘法器及一个逻辑与门电路。到延迟线的输入信号是相对每个延迟元件都延迟几个纳秒的信号。为了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：355328
    • 提供者：weixin_38648037

  1. 电源技术中的如何选择合适的电荷泵

  2. 1、效率优先，兼顾尺寸 　　如果需要兼顾效率和占用的 PCB 面积大小时，可考虑选用电荷泵。例如电池供电的应用中，效率的提高将直接转变为工作时间的有效延长。通常电荷泵可实现 90% 的峰值效率，更重要的是外围只需少数几个电容器，而不需要功率电感器、续流二极管及 MOSFET。这一点对于降低自身功耗，减少尺寸、BOM 材料清单和成本等至关重要。 　　2、输出电流的局限性 　　电荷泵转换器所能达到的输出负载电流一般低于 300mA，输出电压低于 6V。多用于体积受限、效率要求较高，且具有低成本

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38658086

  1. 电源技术中的PWM降压型DC-DC转换器MAX1556/MAX1556A/MAX1557简介

  2. MAX1556/MAX1556A/MAX1557是低工作电流(16µA)、固定频率的降压型调节器。这些转换器具有高工作频率、低静态电流、低压差等特性，低静态电流(27µA)使其非常适合用于1节锂离子电池或3节碱性/NiMH电池供电的便携式装置。MAX1556最高可提供1.2A电流，通过引脚可以选择1.8V、2.5V与3.3V输出，或可调输出。MAX1557最高可提供600mA电流，通过引脚可以选择1V、1.3V与1.5V输出，或可调输出。 　　MAX1556/MAX1556A/MAX1557包

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38609247

  1. 电源技术中的高压电容器充电控制器LT3751特性/应用/资料下载

  2. 描述 　　LT:registered:3751 是一款能够接受高输入电压的反激式控制器，专为把一个大电容器快速充电至一个可由用户调节的目标电压 (利用变压器匝数比和 3 个外部电阻器来设定) 而设计。一个任选的反馈引脚可用来提供一个低噪声高电压已调输出。 　　LT3751 具有一个集成的轨至轨 MOSFET 栅极驱动器，因而可在低至 4.75V 的电压条件下实现高效运作。一个 106mV 的低差分电流检测门限电压准确地限制了峰值开关电流。利用可由用户选择的过压和欠压闭锁电路提供了针对 VCC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：153600
    • 提供者：weixin_38706007

  1. 电源技术中的MAX17435/MAX17535：电池充电器IC

  2. MAX17435/MAX17535是集成的多种化学类型电池充电器IC，简化了高精度、高效充电器的设计。MAX17435/MAX17535可通过SMBus?控制充电电流、充电电压、输入限流、重新学习电压以及IINP电压的数字回读。MAX17435/MAX17535在接入适配器时利用电荷泵控制n沟道MOSFET，进行适配器选择。当适配器断开时，电荷泵关断且通过p沟道MOSFET选择电池。 　　MAX17435/MAX17535可以对2节、3节或4节串联的锂离子(Li+)电池充电，提供高达7A的充电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：124928
    • 提供者：weixin_38644233

  1. 显示/光电技术中的一般照明LED驱动控制芯片解决方案

  2. mSilica 的一般照明 LED 驱动芯片是一个高度整合的系统芯片可以驱动多组的白色或其它颜色的 LED。这些驱动芯片使用外置的直流电源转换器,而且可以根据 LED 的数量及驱动电流. 选择 使用整合于芯片内部的或是外挂 MOSFET。 这只需要最少的外部零件，并且搭配有适当的节能控制技术，非常有效率；还有准确度非常高的电流源、线性电流配合、故障检测、过热保护、非常宽的调光范围、色温选择、低 EMI 等特性。 　　一般照明需要有色温和伽玛校正、温度和 LED 老化修正等能力，以便于形成一个稳

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38727928

  1. Diodes推出便携式充电设备的开关

  2. Diodes公司应用高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术，推出便携式充电设备的开关。 　　Diodes亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET组合封装成DFN2020形式。 　　与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38738506

  1. 电源技术中的电荷泵的效率

  2. 每种便携式电子设备都具有其独特的电源管理方案，但是在所有产品类型中都存在一些共同的电源效率的问题。电荷泵可提供比LDO稳压器更高的工作效率。虽然电荷泵的效率不及电感式DC／DC变换器，但因其不需电感，故它具有高的性价比。　　电荷泵通过控制泵电容及调节开关来保持稳定的输出电压，电荷泵开关网络在泵电容充电和放电变换周期内可以实现泵电容的并行或串行排列。在给定的输入、输出条件（差分电压）下，应选择电荷泵的最优工作模式以保持要求的输出电压。电荷泵开关网络采用的MOSFET器件具有尺寸小，成本低，开关速度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：168960
    • 提供者：weixin_38724663

  1. 元器件应用中的Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET

  2. Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为* (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。 　　ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计，能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(SLIC)DC/DC转换器对变压器中初级开关位置的严格要求。这些应用涵盖宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关。 　　两款新器件的击穿电压（BVDSS）分别为150V及200V，能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式，不需要额外的保护电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38709511

  1. 元器件应用中的意法推出通态电阻最低仅650V的全新功率MOSFET

  2. 意法半导体推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh V制造工艺和工业标准TO-247 封装，是业内通态电阻最低的650V MOSFET产品。 　　意法半导体功率MOSFET产品部市场总监Maurizio Giudice表示：“MDmesh V 系列产品整合了意法半导体专属的第五代超结技术，和经过应用验证的 PowerMESH 水平布局设计，产品性能优于同类竞争产品。无论采用何种封装，业界最低的单位芯片面积RD

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38570406

  1. 电源技术中的采用LM5007分析和设计固定频率的迟滞降压转换器

  2. 引言   　　LM5007降压稳压器的工作方式不同于其它传统的控制方式，例如固定频率电流模式、固定导通时间电压模式、可变导通时间模式和可变关断时间模式。LM5007的固定频率迟滞控制方式具有较小的输出电容且无需环路补偿，因而可提供极佳的性能。LM5007是一款高压IC，设计其可接收的输入电压范围为9V到75V（最大为80V）。自举二极管和高压N-沟MOSFET降压开关均集成于IC中，使得LM5007很适合于电路板窨受限的应用。   　　本应用注释描述了LM5007的工作过程，并提供了逐步

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：32768
    • 提供者：weixin_38727825

  1. 电源技术中的Intersil推出最新的双通道同步降压稳压器

  2. 公司日前宣布，推出最新的双通道同步降压稳压器——ISL8088。该器件采用超小封装，具有非常高的功率转换效率和低静态电流。 　　ISL8088是每通道800mA的双通道降压稳压器，内部集成了功率MOSFET。2.7V～5.5V的输入电压和35mA的静态电流，使ISL8088成为电池供电和其他“绿色电源”应用的理想之选。ISL8088可以选择工作在强制的PWM模式和自动的PWM/PFM模式，以延长电池寿命。 　　ISL800的开关频率高达2.25MHz，具有内置的数字软启动和补偿电路，可以减少

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38706603

  1. 元器件应用中的Fairchild推出超紧密薄型封装高性能MicroFET MOSFET系列产品

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出采用超紧密薄型封装的高性能MicroFET MOSFET系列产品，能够满足可携式产品设计人员对于效率更高、外形更小更薄的解决方案需求；透过飞兆先进的PowerTrench MOSFET制程技术，实现了更低功耗与传导损耗等性能优势。 　　由于此一先进的MicroFET MOSFET产品组合，设计人员便能挑选最适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的系列产品备有数种常用的拓扑选择，包括单P信道和萧特基二极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38611388
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