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  1. 电源技术中的基于UCC28600的准谐振反激式开关电源的设计方案

  2. 摘要：本文提出了一种基于UCC28600控制器的准谐振反激式开关电源的设计方案，该方案分析了准谐振反激式开关电源的工作原理及实现方式，给出了电路及参数设计和选择过程，以及实际工作开关波形。实验证明，该方案中所设计的准谐振反激式开关电源具有输入电压范围宽、转换效率高、低EMI、工作稳定可靠的特点。准谐振技术降低了MOSFET的开关损耗，提高产品可靠性。 　　0 引言 　　准谐振转换是十分成熟的技术，广泛用于消费产品的电源设计中。新型的绿色电源系列控制器实现低至150 mW 的典型超低待机功耗。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：364544
    • 提供者：weixin_38643407

  1. 为同步整流选择最优化的MOSFET

  2. 隔离式电源转换器的次级整流产生的严重的二极管正向损耗是主要的损耗，因此，只有利用同步整流（SR）才可能达到这些标准要求的能效水平。用MOSFET替代二极管引发了新的挑战——优化系统能效和控制电压过冲。本文介绍了通过确定优化MOSFET的负载电流及借助四象限SR器件优化表，帮助选择最佳MOSFET的方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：310272
    • 提供者：weixin_38689223

  1. 基础电子中的MOSFET使用多晶硅的原由及常见技术汇总

  2. 导读：MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，MOSFET产品从发明至今，已经经历了数代产品，并大量应用于电力电子、消费电子、汽车电子等领域。本文今天就为大家分享了关于MOSFET使用多晶硅的原由及其常见技术。 　　一、MOSFET使用多晶硅的原由 　　理论上MOSFET的栅极应该尽可能选择电性良好的导体，多晶硅在经过重掺杂之后的导电性可以用在MOSFET的栅极上，但是并非完美的选择。MOSFET使用多晶硅的理由如下： 　　1. MOSFET的临界电压（thresh

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38730389

  1. 为D类放大器选取合适的参数

  2. 随着半导体器件和电路技术的最新发展，如今D类音频放大器在电视/家庭娱乐，音响设备和高性能便携式音频应用中得到广泛的应用。高效率，低失真，以及优异的音频性能都是D类放大器在这些新兴的大功率应用中得到广泛应用的关键驱动因素。然而，如果输出功率桥接电路中的MOSFET如果选择不当，D类放大器的上述这些性能将会大打折扣，特别是输出功率比较大的时候。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：303104
    • 提供者：weixin_38603704

  1. 针对便携设备的高端负载开关及其关键应用参数

  2. 对于各具特色的移动电话、移动GPS设备和消费电子小玩意等电池供电的便携式设备应用来说，高端负载开关一直受到众多工程师和设计人员的青睐。本文将以易于理解的非数学方式全方位介绍基于MOSFET的高端负载开关，并讨论在设计和选择过程中必须考虑的各种参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：254976
    • 提供者：weixin_38720978

  1. 关于MOSFET驱动电阻的选择

  2. L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：235520
    • 提供者：weixin_38653040

  1. 降压式DC/DC转换器的MOSFET选择

  2. 同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路，但用户的使用条件经常与典型应用电路不同，要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：205824
    • 提供者：weixin_38678773

  1. 电源系统开关控制器的 MOSFET 选择

  2. DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-18
    • 文件大小：337920
    • 提供者：weixin_38668672

  1. 安森美半导体应用于LED区域照明的电源、保护及联网方案

  2. 安森美半导体身为应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商，为LED区域照明应用提供完全的解决方案，如基于NCL30001的电流可调节恒流功率因数校正方案和基于NCP1607及NCP1397的超高能效大功率方案等驱动电源方案，基于NUD4700的LED串保护方案，基于AMIS-49587、NCS5650和NOA1302的联网型LED街灯控制方案，以及相关的MOSFET、整流器、滤波器和热保护产品等，为用户提供丰富的选择，帮助他们缩短设计周期，加快产品上市进程。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：187392
    • 提供者：weixin_38651786

  1. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  2. 随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，性能也获得到了很大地提高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：209920
    • 提供者：weixin_38705873

  1. 如何为D类放大器选取合适的参数？

  2. 随着半导体器件和电路技术的最新发展，如今D类音频放大器在电视/家庭娱乐，音响设备和高性能便携式音频应用中得到广泛的应用。高效率，低失真，以及优异的音频性能都是D类放大器在这些新兴的大功率应用中得到广泛应用的关键驱动因素。然而，如果输出功率桥接电路中的MOSFET如果选择不当，D类放大器的上述这些性能将会大打折扣，特别是输出功率比较大的时候。因此，要设计一款具有最佳性能的D类放大器，设计师正确理解驱动喇叭的器件关键参数以及它们如何影响音频放大器的性能是至关重要的。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：290816
    • 提供者：weixin_38571104

  1. 电源技术中的SD484X系列芯片特性

  2. 该类方案主要以士兰微电子AC-DC产品为主控芯片，以手机充电器、DVD电源、DVB适配器及PC电源设计为主要应用方向。主芯片SD484X系列特性。 　　●内置PWM控制电路和高压功率MOSFET。相对于控制电路和功率MOSFET分立来说，降低了成本，提高了电路的可靠性。 　　●MOSFET的导通电阻最大值规格分别有：16.8欧姆、9.6欧姆、6.0欧姆、4.8欧姆、3.6欧姆。对应的峰值电流最大值为：0.6 A、0.75 A、0.90 A、1.20 A、1.50A。可以根据实际芯片所需的输出

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38622827

  1. 电源技术中的内置的P-沟道降压DC/DC控制器—XCM526

  2. XCM526系列是内装了通用降压DC/DC控制器IC和P-沟道 功率 MOSFET的多重实装IC。内置的P-沟道 功率 MOSFET是低导通电阻高速开关型, 与降压DC/DC控制器组合能提供输出电流达到3A的高效率且稳定的电源。此外作为负载电容能使用低ESR钽电容(OS-CON?Neo 电容等)。(使用陶瓷电容时, 需要插入RSENSE) 　　内置了0.9V的基准电压源, 能由外部电阻任意设定输出电压。 　　能从重视高效率的300kHz, 可使外置元件小型化的1MHz, 两者之间的500kH

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：201728
    • 提供者：weixin_38609401

  1. PCB技术中的用PQFN封装技术提高能效和功率密度

  2. 当今大多数电子产品设计都要求高能源效率，包括非消费型电子设备在内，例如工业马达驱动器和电信网络基础设施。对于电源而言，同样需要高功率密度和可靠性，以便降低总拥有成本。 　　随着开关模式电源转换成为业界标准(与线性电源相比具有更好的功率密度和效率)，组件设计人员设法通过芯片级创新和改进封装来不断提升功率MOSFET的导通和开关性能。芯片的不断更新换代使得在导通电阻(RDS(ON))和影响开关性能的因素(如栅极电荷QG)之间的平衡方面逐步取得进展。 　　国际整流器公司(IR)目前可提供多种不同的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：201728
    • 提供者：weixin_38701683

  1. 元器件应用中的针对应用选择正确的MOSFET驱动器

  2. 目前，现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。 　　从功能上讲，MOSFET驱动器将逻辑信号转变成较高的电压和电流，以很短的响应时间驱动MOSFET栅极的开和关。例如，使用MOSFET驱动器可以将一个5V、低电流的单片机输出信号转变成一个18V、几安培的驱动信号来作为功率MOSFET的输入。针对应用选择正确的MOSFET驱动器，需要对与MOSFET栅极电荷和工作频率相关的功耗有透彻的理解。例如，不管栅极电压的转变快或慢，MOSFET栅

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38526979

  1. 电源技术中的高输入轨电压的降压转换器的FET损耗最小化

  2. 美国国家半导体公司 　　工程师经常会面临的难题是，如何选择输入电压轨才能 使DC-DC转换器在负载点(POL)的工作性能达到最佳。对于 超过12V的高电压轨，通常需要中间稳压级，这会降低总体 效率并增加成本。然而，稳压器和控制器IC的新一代产品可 由这些高输入轨电压直接提供POL的稳压。一般情况下将降 压稳压器作为POL应用的器件，但其效率在极大程度上取决 于高边(HS)和低边(LS)的MOSFET(FET)组合的优化。在较 低输入电压时，经常能采用相同的高边和低边FET，然而对 于较高的输入

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38633967

  1. 电源技术中的为LM510X系列器件选择外置的自举二极管

  2. 在类似半桥转换器或者同步降压转换器的应用中，将功率MOSFET用作高侧开关的栅极驱动的要求总结如下： ——栅电压必须比电源电压高出6至12V。为了完全开启高侧开关，必须将栅源电压提高到大于阈值电压加上完全开启MOSFET所需的最小电压。 ——必须通过逻辑电平控制栅电压，通常会以接地为参考电压。因此，需要将控制信号电平移位到高侧MOSFET的源极（HS结点），而在大多数应用中，电平在接地和高压轨之间摆动。 ——必须将栅驱动器的功耗维持在封装散热的限制之内。高度集成的栅驱动器IC集成了下列模块

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38535132

  1. 电源技术中的高输入轨电压的降压转换器的FET 损耗最小化

  2. 工程师经常会面临的难题是，如何选择输入电压轨才能 使DC-DC转换器在负载点(POL)的工作性能达到最佳。对于 超过12V的高电压轨，通常需要中间稳压级，这会降低总体 效率并增加成本。然而，稳压器和控制器IC的新一代产品可 由这些高输入轨电压直接提供POL的稳压。一般情况下将降 压稳压器作为POL应用的器件，但其效率在极大程度上取决 于高边(HS)和低边(LS)的MOSFET(FET)组合的优化。在较 低输入电压时，经常能采用相同的高边和低边FET，然而对 于较高的输入电压，这些FET的选择标准

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38711778

  1. 电源技术中的设计高性能、低成本的笔记本电脑处理器电源

  2. 开关频率设定必须足够高，以便能以所要求的转换速率对负载的瞬态变化做出响应。必须保证MOSFET的RDSON很低，以最大限度地减少高频开关损耗，而且控制器的反馈环路的带宽必须足够高，以确保响应的快速性。 　　笔记本电脑的新型处理器对电源提出了更高的要求：电流应该更大、对负载阶跃响应速度更快、输出电压在电压识别(VID)码刷新后应能做出更迅速的调整。如果现有的电源设计可以满足最新的负载阶跃响应用规范要求、可保证低纹波，且在所有工作模式下(特别是待机模式)都能实现高效率，那么把该设计复用到一个新系统

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：214016
    • 提供者：weixin_38618784

  1. 基础电子中的半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片

  2. 在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。 　　另一方面，半桥配置最适合提供高能效/高功率密度的中低功率应用。半桥配置涉及两种基本类型的MOSFET驱动器，即高端(High-Side)驱动器和低端(Low-Side)驱动器。高端

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：216064
    • 提供者：weixin_38643269
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