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  1. MOSFET器件的选择

  2. 随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选 择正确的MOSFET。
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2009-11-19
    • 文件大小:93184
    • 提供者:chenxin186
  1. 彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet(规格书)

  2. 所有功率MOS制造厂商都会提供每种型号产品的详细 说明书。说明书用来说明各种产品的性能。这对于 在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些 情况下,不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有 微妙的区别,尤其在一些非重要参数例如切换时间。 另外,数据说明书所包含的信息不一定和应用相关 联。因此在使用说明书和选择相同规格的器件时需要 特别当心以及要对数据的解释有确切的了解。本文以 BUK553-100A为例, 这是一种100 V逻辑电平MOS管 漏极电流值(ID) 和总耗散功率都在这部分给出。这
  3. 所属分类:C

    • 发布日期:2010-07-03
    • 文件大小:185344
    • 提供者:kinkwon
  1. MOSFET驱动电阻的选择.pdf

  2. MOSFET驱动电阻的选择
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-05
    • 文件大小:88064
    • 提供者:weixin_38743481
  1. 使用JK法选择最佳MOSFET的技巧(TI).pdf

  2. 使用JK法选择最佳MOSFET的技巧(TI)pdf,使用JK法_选择最佳MOSFET的技巧(TI)
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38743481
  1. 实现高功率密度的工业电源.pdf

  2. 实现高功率密度的工业电源pdf,工业电源必须满足一些特殊的要求,如低能耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性,以及其他在普通电源中不常见的特性。的电阻/电容网络可对输入电压进行样。电感之后是带栅板保护电路的 电源开关,PFC整流器为 StealthTM二极管。接下来使用一个电阻分压 器来感测和调节PFC级的输出电压,反馈回路至此结束。总线电容也如 图2所示,而二极管D1是一个额外的保护器件。 图2PFC级的原理小意图 这里采用的控制器是FAN4810,该器件包含了先进的半均电流“升 压”型功率因薮校
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-12
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38743481
  1. 开关电源测流电阻应放置的6个位置.pdf

  2. 开关电源测流电阻应放置的6个位置pdf,电流模式控制由于其高可靠性、环路补偿设计简单、负载分配功能简单可靠的特点,被广泛用于开关模式电源。电流检测信号是电流模式开关模式电源设计的重要组成部分,它用于调节输出并提供过流保护。图1显示了 ADI LTC3855同步开关模式降压电源的电流检测电路。LTC3855是一款具有逐周期限流功能的电流模式控制器件。检测电阻RS监测电流。在这种配置中,电流检测可能有很高的噪声,原因是顶部 MOSFET的导通边沿 具有很强的开关电压振荡。为使这种影响最小,需要一个较
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:531456
    • 提供者:weixin_38743737
  1. 【会议PPT】鼎阳-开关电源测量中的“干货”问题交流.pdf

  2. 【会议PPT】鼎阳-开关电源测量中的“干货”问题交流pdf,示波器带宽通常是指模拟带宽。是指示波器前端放大器的幅频特性曲线的截止频率点。也就是正弦波输入信号被衰减到信号真实幅度70.7%时的频率,也称为-3dB截止频率点。电源测试项目 看波形 测电压 测电流 测损耗 电源质量 冲击电流 输入 输出 电流谐波 调制分析 开关元件 动态导通电阻 电源路径 安全工作区SOA 控制回路 开启/关断特性 转换速率 开关损耗 原效率 G SIGLENT www.siglent.com 开关电源测试点&测试
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38743506
  1. Buck电源中绝缘栅场效应管的驱动方法.pdf

  2. Buck电源中绝缘栅场效应管的驱动方法pdf,Buck电源中绝缘栅场效应管的驱动方法mp whf VEE %hi laen OUT 变压宣按动 图5所示这种直接驱动方法的突出优点是成本最低,但由于变压器只能传递交流 信号,因此输出的正负脉冲幅值随占空比而变,只适用于占空比在0.5左右、而 且变化不大的情况。同时由于变压器的负载是M0S管的输入电容,驱动脉冲的 前后沿一般不会很理想。 有源变压器驱动 REn OUT 原大 笔动 压龄外加 用变压器传送管号,次级另加隔离电源和放大电路,如图6所示。因
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:621568
    • 提供者:weixin_38744207
  1. 常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdf.pdf

  2. 常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdfpdf,常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdfamiem12nsn-81q1) 0 00 M tEl 从图上可以看到 1,MOS管在开通时,可以看到 miller效应在驱动信号上造成的平台。 2,当M管开通时,在MoS的漏极和二管上产生很大的尖峰电流 从仿真结果来看,的确存在我们前面分析的容性开通、反向恢复等问题。 那么软开关就能解决这个问题吗? 下面我们先推出今天的第一个软开关的例子 此电路是我以前分析一华为通信电源模块
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38744375
  1. 电源技术中的介绍在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

  2. 随着电力电子技术的高速发展,电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切,而电子设备都离不开可靠的电源,进入80年代计算机电源全面实现了开关电源化,率先完成计算机的电源换代,进入90年代开关电源相继进入各种电子、电器设备领域,程控交换机、通讯、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了开关电源,更促进了开关电源技术的迅速发展。开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关晶体管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。开关电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:336896
    • 提供者:weixin_38623442
  1. 电源技术中的电源设计小贴士42:可替代集成MOSFET的分立器件

  2. 在电源设计中,工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题,或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题。为缓解这一问题,工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商(包括TI在内)拥有现成的MOSFET集成电路驱动器解决方案,但这通常不是成本最低的解决方案。通常会选择价值几美分的分立器件。 图1 简单的缓冲器可驱动2Amps以上的电流。   图1中的示意图显示了一个NPN/PNP发射跟随器对,其可用于缓冲控制IC的输出。这可能会增加控制器的驱动能力并将驱动损耗转移至外部组件。许多人都认为
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:154624
    • 提供者:weixin_38684633
  1. 开关技术中的如何正确掌握选择MOSFET的技巧?

  2. MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET.   一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)就是金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor F
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:137216
    • 提供者:weixin_38642349
  1. 开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃

  2. 功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点,已经成为开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)整流组件的最佳选择,专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS控制器带来了契机。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-25
    • 文件大小:104448
    • 提供者:weixin_38743084
  1. 如何为具体应用恰当的选择MOSFET

  2. 虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数,但为了选择出合适的MOSFET,工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-25
    • 文件大小:194560
    • 提供者:weixin_38530202
  1. 电源技术中的降压开关电源设计过程中控制技术的选择

  2. 降压开关电源的设计过程非常简单,从最初的规格说明出发,为设计选择合适的“核心电路”,再配置一些外部元件,最 后仿真和验证以完成设计方案。但是目前有很多种控制技术,如何做出合适的决定很具挑战性。为了选择更合适的控制器或调节器,必须进行深入的研究。   经典的PWM控制技术   最常见的控制器采用经典的脉冲宽度调制 (PWM) 技术,利用内部时钟引导每个工作周期的开始,使主MOSFET导通。通过比较控制电压 (Vc) 和锯齿波电压幅度(Vp),能够对关闭时间进行定时,如图1所示。 图1 电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-05
    • 文件大小:215040
    • 提供者:weixin_38656064
  1. 电源技术中的开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃

  2. 功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点,已经成为开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)整流组件的最佳选择,专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS控制器带来了契机。那些与SMPS控制器集成在一起的驱动器只适用于电路简单、输出电流小的产品;而那些用分立的有源或无源器件搭成的驱动电路既不能满足对高性能的要求,也无法获得专用单片式驱动器件的成本优势。专用驱动器的脉冲上升延时、下降延时和传播延迟都很短暂,电路种类也非常齐全,可以满足各类产品的设计需要
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-08
    • 文件大小:106496
    • 提供者:weixin_38578242
  1. 元器件应用中的选择高压场效应管实现节能

  2. 高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力,能够帮助工程师避免许多问题,并实现效率最大化。经验证明,采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET,除简单地导通电阻上的差异之外,更重要的是,还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。   技术   高压MOSFET器件采用两种基本工艺:一种是比较常规的平面工艺;另一种是新的电荷平衡工艺。平面工艺非常稳定和耐
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-07
    • 文件大小:104448
    • 提供者:weixin_38634037
  1. 元器件应用中的凌特推出具550kHz工作频率的60V升压型控制器..

  2. 凌特公司(Linear Technology)推出具550kHz工作频率的电流模式升压型DC/DC控制器LTC3872,该器件无需检测电阻,因此节省了电路板空间并提高了效率。作为高度紧凑的解决方案,用于将2.5V至9.8V的输入电压转换为较高的输出电压。无需检测电阻可以实现高达60V的VOUT;如果使用检测电阻时,输出电压仅受外部组件限制。       据介绍,视外部MOSFET的选择而定,LTC3872可达到高峰值电流。该集成电路的高工作频率降低了电感器和电容器的值和尺寸。其小占板面积加
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-02
    • 文件大小:72704
    • 提供者:weixin_38667835
  1. MOSFET的结构及基本工作原理

  2. MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写,平面型器件结构,按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感应的原理,是利用垂直的栅压VGS实现对水平IDS的控制。它是多子(多数载流子)器件。用跨导描述其放大能力。 典型的铝栅MOS器件的平面和剖面结构如图所示。 NMOS和PMOS在结构上完全相像,所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说,NMOS是在P型硅的衬底上,通过选择掺杂形
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:109568
    • 提供者:weixin_38545485
  1. 为什么MOSFET是自动平衡超级电容器泄漏的选择

  2. MOSFET可降低超级电容器的工作偏置电压,平衡电路的功耗,并可以根据温度、时间和环境变化而自动调节。   在能量采集、办公自动化和备份系统等一系列新产品设计中,超级电容器(supercapacitor)引起了设计团队的关注。这些超级电容器电池具有高效存储能力,可根据需要快速释放能量。为确保峰值性能和较长的产品生命周期,超级电容器的电压必须得到平衡。如果由于电池之间的泄漏电流差异而发生不平衡,则可能触发能量耗散,导致超级电容器电池过早失效。   超级电容器,也称为超电容(ultracapac
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:191488
    • 提供者:weixin_38706007
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