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  1. MOSFET DRIVER DESIGN

  2. 选择合适的MOSFET ,同时也要选择合适的DRIVER

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-06-11
    • 文件大小：431104
    • 提供者：cdlinke

  1. MOSFET的型号选择

  2. 朋友发给我一个文件，资料介绍比较齐全，与同志们分享下，希望有用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-02-04
    • 文件大小：119808
    • 提供者：HWB0573

  1. DC_TO_DC_和_LDO的区别

  2. LDO所需要的外围器件简单,占面积小,而DC/DC一般都会要求电感,二极管,大电容,有的还会要MOSFET,特别是Boost电路,需要考虑电感的最大工作电流,二极管的反向恢复时间,大电容的ESR等等,所以从外围器件的选择来说比LDO复杂,而且占面积也相应的会大很多.

  3. 所属分类：IT管理

    • 发布日期：2011-08-15
    • 文件大小：125952
    • 提供者：rcyfzyf

  1. 600v 开关mosfet

  2. 本资料详细介绍了耐压600v的开关管各项参数，为我们选择开关管提供了必不可少的参数

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-09-25
    • 文件大小：262144
    • 提供者：shixiaosong757

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的Vishay推出面向OR-ing应用的TrenchFET功率...

  2. Vishay推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提高固定电信网络的效率。在企业服务器网络中，OR-ing功能可在主电源出现故障时接通冗余电源，以确保为系统持续供电。由于MOSFET承载来自正在运行的电源的整个负载，因此降低这些器件的功耗可极大降低能源成本。     日前推出的这三款N通道MOSFET具有20V漏极到源极与栅极到源极额定值，并且在SO-8占位面积中具有低至1.6毫欧的导通电阻规格。与同

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：70656
    • 提供者：weixin_38595356

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的创惟推出第四代USB2.0多合一读卡机控制芯片GL826

  2. 创惟科技宣布成功开发第四代USB2.0多合一(CF/MD, SD/MMC, mSD, MS/MS PRO/MS PRO-HG, SM/xD)读卡机控制芯片GL826，该产品沿袭了前一代GL819的高效率传输性能与兼容性，更重要的是将5V/3.3V电源调整器(Regulator)与功率晶体管(Power MOSFET)等元件整合于单一芯片，使客户的产品制造成本大幅降低。此外，因应小型microSD或MMC Mobile在市场的快速发展，GL826分别提供8bit与4bit两个SD插槽，以方便客户在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38666300

  1. 针对便携设备的高端负载开关及其关键应用参数

  2. 对于各具特色的移动电话、移动GPS设备和消费电子小玩意等电池供电的便携式设备应用来说，高端负载开关一直受到众多工程师和设计人员的青睐。本文将以易于理解的非数学方式全方位介绍基于MOSFET的高端负载开关，并讨论在设计和选择过程中必须考虑的各种参数。 高端负载开关的定义是：它通过外部使能信号的控制来连接或断开至特定负载的电源(电池或适配器)。相比低端负载开关，高端负载开关“流出”电流至负载，而低端负载开关则将负载接地或者与地断开，因此它从负载“汲入”电流。 高端负载开关不同于高端电源开关。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：201728
    • 提供者：weixin_38687199

  1. 电源技术中的Vishay推出面向OR-ing应用的TrenchFET功率MOSFET

  2. VISHAY推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提高固定电信网络的效率。在企业服务器网络中，OR-ing功能可在主电源出现故障时接通冗余电源，以确保为系统持续供电。由于MOSFET承载来自正在运行的电源的整个负载，因此降低这些器件的功耗可极大降低能源成本。         日前推出的这三款N通道MOSFET具有20V漏极到源极与栅极到源极额定值，并且在SO-8占位面积中具有低至1.6毫欧的导通电阻规格。与

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38590456

  1. PWM 应用中的低电压反馈

  2. 就低电压高电流电源应用而言，开关式电源门极驱动要求特别重要。由于几个MOSFET器件通常并联以满足特定设计的高电流规范要求，因此单一集成电路控制器与驱动器解决方案的方便性就不再是可行的选择。MOSFET并联可降低漏极到源极的导通电阻，并减少传导损耗。但是，随着并联器件的增多，门极充电的要求也迅速提高。由于MOSFET的内部阻抗大大低于驱动级，因此与驱动并联组合相关的大多数功率损耗其形式都表现为控制器集成电路的散热。因此，许多单片解决方案的驱动级由于并联组合的关系都无法有效地驱动更高的门极充电。为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：100352
    • 提供者：weixin_38600432

  1. DC-DC转换器中PCB布线寄生电感对于效率的影响

  2. 引言---由于计算机工业朝着能在1V下提供高达200A电流的DC-DC转换器进发，因此，PCB布线技术需要满足这个极具挑战性的新兴转换器的要求。为了比较各种布线缺陷的影响，我们重点研究电路中寄生电感的影响，尤其是那些与开关MOSFET的源、漏、栅极相关的寄生电感。我们构建了一个用于测试DC-DC转换器的PCB，该转换器可输入12VDC并将其转换为1.3V，输出电流高达20A。我们使用插件板(plug-inboard)进行组装，可以随时分别或同时改变每个MOSFET电极处的电感（图1）。我们选择将

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：183296
    • 提供者：weixin_38665046

  1. 基于电感开关电源的功率开关功耗

  2. 基于电感的开关电源（SM-PS）包含一个功率开关，用于控制输入电源流经电感的电流。大多数开关电源设计选择MOSFET作开关（图1a中Q1），其主要优点是MOSFET在导通状态具有相对较低的功耗。     MOSFET完全打开时的导通电阻（RDS(ON)）是一个关键指标，因为MOSFET的功耗随导通电阻变化很大。开关完全打开时，MOSFET的功耗为ID2与RDS(ON)的乘积。如果RDS(ON)为0.02W，ID为1A，则MOSFET功耗为0.02*12=0.02W。功率MOSFET的另一功耗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：103424
    • 提供者：weixin_38668225

  1. MOSFET使用多晶硅的原由及常见技术汇总

  2. 导读：MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，MOSFET产品从发明至今，已经经历了数代产品，并大量应用于电力电子、消费电子、汽车电子等领域。本文今天就为大家分享了关于MOSFET使用多晶硅的原由及其常见技术。 　　一、MOSFET使用多晶硅的原由 　　理论上MOSFET的栅极应该尽可能选择电性良好的导体，多晶硅在经过重掺杂之后的导电性可以用在MOSFET的栅极上，但是并非完美的选择。MOSFET使用多晶硅的理由如下： 　　1. MOSFET的临界电压（thresh

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38614112

  1. 详解如何为D类放大器选取合适的参数

  2. 通过控制开关单元的ON/OFF,驱动扬声器的放大器称D类放大器。以前的模拟放大器的效率停留在50%左右，剩下的50%主要作为热量被消耗。D类放大器的效率相当高，达到80~90%.不仅不浪费电源，有效地利用电源，还能得到较大的功率输出。 　　随着半导体器件和电路技术的发展，如今D类音频放大器在电视/家庭娱乐，音响设备和高性能便携式音频应用中得到广泛的应用。高效率，低失真，以及优异的音频性能都是D类放大器在这些新兴的大功率应用中得到广泛应用的关键驱动因素。然而，如果输出功率桥接电路中的MOSFET如

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：275456
    • 提供者：weixin_38698863

  1. 如何选择MOSFET——电机控制

  2. 本文主要讨论特定终端应用需要考虑的具体注意事项，首先从终端应用中将用于驱动电机的FET着手。电机控制是30V-100V分立式MOSFET的一个庞大且快速增长的市场，特别是对于许多驱动直流电机的拓扑结构来说。在此，我们将专注于讨论如何选择正确的FET来驱动有刷、无刷和步进电机。尽管很少有硬性规定，且可能有无数种方法，但希望本文能让您基于终端应用了解从何处着手。 　　　要做的也许是简单的选择是你需要何种类型的击穿电压。由于电机控制往往频率较低，因此与电源应用相比会产生较低的振铃，因此输入电源轨与F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：110592
    • 提供者：weixin_38665449

  1. 宜普电源转换公司（EPC）推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97％效率的氮化镓（eGaN:registered:）功率晶体管

  2. 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管，其占板面积只是1.1平方毫米、导通阻抗(RDS(on))为25 m?及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。 　　要求更高的效率及更高的功率密度的应用现在不需要选择小尺寸还是高性能了，因为EPC2051可以同时实现小尺寸及高性能! EPC2051的尺寸只是1.3毫米乘0.85毫米(即1.1平方毫米)。EPC2051虽然占板面积小，它工作在50 V–12 V降压转换器、500 kHz开关及4 A输出电流时可实

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38727199

  1. 10步法则教你MOSFET选型

  2. 俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。 　　功率MOSFET恐怕是工程师们常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。 　　1、功率MOSFET选型步：P管，还是N管？ 　　功率MOSFET有两

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：114688
    • 提供者：weixin_38631182

  1. MOSFET与IGBT的本质区别

  2. 1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。 2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ。 3、就其应用：根据其特点MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热；高频逆变焊机；通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机，逆变器，变频器，电镀电解电源，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：302080
    • 提供者：weixin_38704011

  1. 一份难得的MOS管封装分析

  2. 在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。 　　而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。封装的重要性不言而喻。 　　MOS管封装分类 　　按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Thro

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：238592
    • 提供者：weixin_38524851

  1. TI - 霍尔电流传感器在电信整流器和服务器电源中的应用

  2. 电信整流器和服务器电源单元（PSU）中的功率因数校正（PFC）电路和逆变电路都需要将高压侧的电流信号检测到位于低压侧的控制器，因此要用到隔离式电流传感器。隔离式电流检测有多种实现方式，例如电流互感器（CT）、隔离放大器和霍尔效应电流传感器。其中，霍尔效应电流传感器因其简便易用、准确、体积小且具有直流检测能力，成为比较理想的选择。　　电流互感器是基于变压器的原理对电流进行采样，使用CT可以检测MOSFET或者IGBT的开通电流。CT的快速响应速度使其非常适合于用做峰值电流控制和过流保护控制。但是基

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：144384
    • 提供者：weixin_38638309

  1. 节能灯及整流器用磁环的选择

  2. 现节能灯和电子日光灯的应用已普及,但真正节能和质量好的却不是那么好做,关健是磁性材料的选择和使用上存在问题,这里主要谈一下脉冲变压器磁环,这是一个不容易掌握的小元件,而且是一个关健元件.在磁性材料生产单位,真正能生产好磁环的也不多,不是他们做不好,而是对小磁环在节能灯内的使用特性不堪了解.而使用者真正理解磁环的又不多,这造成了对小磁环的头痛。 　　在节能灯和电子整流器里,磁环实际是一个开关变压器,也是一个脉冲变压器 ,脉冲变压器的磁心结构为环形较多些,常用规格有:T12**,T9*5*3,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：102400
    • 提供者：weixin_38682026
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