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  1. 几种基于PLC的硅片清洗设备流量控制方法

  2. 主要讲述了在半导体硅片清洗设备中常用的几种流量控制方法，主要包括工艺腔室和药液配比的流量控制，然后根据不同应用场景提出了对应使用的控制方法。单腔室硅片清洗机直接采用流量作为反馈信号进行闭环控制,通过控制喷洒和返回管路开度的平衡，有利于降低气动阀切换时液体流量的波动幅度。多腔室清洗机采用压力闭环的控制方式来间接控制流量, 磁悬浮泵串联控制设计可有效提升泵的使用寿命和压力稳定性，并通过调节各腔室针阀，减小了各个腔室工艺流量的差异性。多种药液配比功能一般通过控制各药液的注入流量来实现，流量精度直接影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：453kb
    • 提供者：weixin_38694674

  1. 工业电子中的半导体电镀工艺解析

  2. 金镀层具有接触电阻低、导电性能好、可焊性好、耐腐蚀性强，因而电镀金在集成电路制造中有着广泛的应用，例如：在驱动IC封装中普遍使用电镀金凸块；在CMOS/MEMS中应用电镀金来制作开关触点和各种结构等；在雷达上金镀层作为气桥被应用；电镀还被用于UBM阻挡层的保护层，以及用于各种引线键合的键合面等等。     1  电镀金工艺1.1 电镀金工艺流程集成电路中的金电镀工艺流程：     ①在硅片上溅射钛、钛钨等金属作为黏附层，再溅射很薄的一层金作为电镀的导电层；②涂布光刻胶，光刻显影出电镀所需的图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：97kb
    • 提供者：weixin_38743391

  1. 基础电子中的一文带你了解半导体硅晶片

  2. 硅片是生产集成电路的主要原材料。硅片尺寸越大则每片硅片上可以制造的芯片数量就越多，从而制造成本就越低。硅片尺寸的扩大和芯片线宽的减小是集成电路行业技术进步的两条主线。目前12寸硅片的出货量占比超过60％，是目前主流的硅片尺寸。 　　半导体硅片通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法（CZ Method）为主拉成不同电阻率的硅单晶锭，然而经过晶体定向→外圆滚磨→加工主、副参考面→切片→倒角→热处理→研磨→化学腐蚀→抛光→清洗→检测→包装等工序。 　　根据硅纯度的不同要求，可分为太阳能等级99，99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：211kb
    • 提供者：weixin_38588394

  1. 硅-硅直接键合工艺

  2. 硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下粘贴在一起，再经过高温退火处理，使键合界面发生物理化学反应，形成强度很大的化学共价键连接，增加键合强度而形成一个整体。该技术具有工艺简单，两键合硅片的晶向、电阻率和导电类型可自由选择，与半导体工艺完全兼容，并且键合强度大，键合后的界面可以承受磨片、抛光和高温处理等优点。自1985年Lasky首次报道以来，该技术得到广泛重视与快速发展[1]。如今，硅-硅直接键合技术已经广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件等领域[2]。 硅-硅直

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38690095

  1. 不同清洗液的亲水处理过程

  2. 硅片亲水处理前要进行化学清洗，亲水处理必须满足三个基本提条件：（1）亲水处理溶液具有氧化作用，使硅片表面生成本征氧化层形成羟基。（2）亲水处理溶液对硅片表面最好没有腐蚀作用。（3）亲水处理溶液对硅片表面去污能力强。硅片键合常用的氧化性亲水处理溶液有H2SO4/H2O2、NH4OH/H2O2，HNO3/H2O2以及HF/H2O2 等。对于H2 SO4 、NH4OH、HNO3而言，它们不仅能除去硅片表面沾污的金属原子（如Cu、Fe）、灰尘，有机物等，同时还都能使硅表面形成SiOx过渡层，从而获得预键

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：weixin_38748718

  1. 常见湿法蚀刻技术

  2. 一般清洗技术 干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。它是硅片表面物理和化学两种过程平衡的结果。在半导体刻蚀工艺中，存在着两个极端：离子铣是一种纯物理刻蚀，可以做到各向异性刻蚀，但不能进行选择性刻蚀；而湿法刻蚀如前面所述则恰恰相反。人们对这两种极端过程进行折中，得到目前广泛应用的一些干法刻蚀技术。例如；反应离子刻蚀(RIE --Reactive Ion Etching)和高密度等离子体刻蚀(HDP)。这些工艺都具有各向异性刻蚀和选择性刻蚀的特点。反应离子刻蚀通过活性离子对

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：weixin_38725119

  1. EDA/PLD中的.离心喷淋式化学清洗抛光硅片

  2. 系统内可按不同工艺编制贮存各种清洗工艺程序，常用工艺是：FSI“A”工艺： SPM+APM+DHF+HPMFSI“B”工艺： SPM+DHF+APM+HPMFSI“C”工艺： DHF+APM+HPMRCA工艺： APM+HPMSPM .Only工艺： SPMPiranha HF工艺： SPM+HF上述工艺程序中：SPM=H2SO4+H2O2 4：1 去有机杂质沾污DHF=HF+D1.H2O (1-2%) 去原生氧化物，金属沾污APM=NH4OH+ H2O2+D1.H2O 1：1：5或 0.5：1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：25kb
    • 提供者：weixin_38654382

  1. 半导体硅片的化学清洗技术-硅片的化学清洗工艺原理

  2. 硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：　　A. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。　　B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。　　C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：　　a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。　　b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38694566

  1. 半导体硅片RCA清洗技术

  2. 传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统　　清洗工序： SC-1 → DHF → SC-2　　1. SC-1清洗去除颗粒：⑴ 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。⑵ 去除颗粒的原理：　　硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。① 自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。② SiO2的腐蚀速度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：70kb
    • 提供者：weixin_38500664

  1. 半导体硅片DHF清洗技术

  2. a. 在DHF洗时，可将由于用SC-1洗时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉，而Si几乎不被腐蚀。b. 硅片最外层的Si几乎是以 H 键为终端结构，表面呈疏水性。c. 在酸性溶液中，硅表面呈负电位，颗粒表面为正电位，由于两者之间的吸引力，粒子容易附着在晶片表面。d. 去除金属杂质的原理：① 用HF清洗去除表面的自然氧化膜，因此附着在自然氧化膜上的金属再一次溶解到清洗液中，同时DHF清洗可抑制自然氧化膜的形成。故可容易去除表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属。但随自然氧化膜溶解到清洗液中一部分Cu等贵金属（

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38722607

  1. 半导体硅片SC-2清洗技术

  2. 1 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经SC-1洗后虽能去除Cu等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着（特别是Al）问题还未解决。2 硅片表面经SC-2液洗后，表面Si大部分以 O 键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。3 由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。a.实验表明：　　据报道将经过SC-2液，洗后的硅片分别放到添加Cu的DHF清洗或HF+H2O2清洗液中清洗、硅片表面的Cu浓度用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38629391

  1. 新的硅片清洗技术

  2. A.新清洗液的开发使用1）.APM清洗a. 为抑制SC-1时表面Ra变大，应降低NH4OH组成比，例：NH4OH：H2O2：H2O = 0.05：1：1当Ra = 0.2nm的硅片清洗后其值不变，在APM洗后的D1W漂洗应在低温下进行。b. 可使用兆声波清洗去除超微粒子，同时可降低清洗液温度，减少金属附着。c. 在SC-1液中添加界面活性剂、可使清洗液的表面张力从6.3dyn/cm下降到19 dyn/cm。选用低表面张力的清洗液，可使颗粒去除率稳定，维持较高的去除效率。使用SC-1液洗，其Ra变

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：53kb
    • 提供者：weixin_38715831

  1. 硅-硅直接键合技术的特点和发展

  2. 硅-硅直接键合技术（Silicon direct bonding, SDB）是键合技术中提出较晚，但是发展最为迅速，人们研究最多，应用最广泛和最为重要的键合技术之一。硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下粘贴在一起，再经过高温退火处理，使键合界面发生剧烈的物理化学反应，形成强度很大的化学共价键连接，增加键合强度而形成统一整体。硅-硅直接键合技术是IBM公司的Lasky等人在1985年的国际电子器件年会上首先提出[5]，主要目的是提出了一种制备高质量的SOI（Silic

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：39kb
    • 提供者：weixin_38698539

  1. 键合SOI

  2. 硅-硅直接键合制备SOI材料的主要工艺过程是: (1)键合，将两个硅抛光片（其中一个或两个硅片的表面有热氧化层)进行清洗和活化处理，然后在室温下贴合在一起，通过表面分子或原子间的作用力直接连在一起, 最后把预键合好的硅片在干氧气氛中热处理, 使键合界面发生复杂的物理化学反应，生成键合强度很大的共价键使键合的硅片成为一个整体；(2)减薄，减薄器件有源区硅层到微米甚至亚微米厚度, 这样就得到了所需的SOI材料。硅片表面平整度、粗糙度及表面颗粒可影响键合的质量, 会在界面产生空洞和应力。实验证明, 亲

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38631329

  1. 水的冲洗

  2. 每一步湿法清洗的后面都跟着一点去离子水的冲洗。清水冲洗具有从表面上去除化学清洗液和终止氧化物的刻蚀反应的双重功效。冲洗可用几种不同的方法来实现。未来的焦点集聚在提高冲洗效果和减少水的用量上。1997年的NTRS声称，到2010年争取实现在尺寸为50纳米的器件上（水用量由目前的30 加仑/每平方英寸硅片减少到2加仑/每平方英寸硅片）。每平方英寸硅片的水用量由目前的30 加仑减少到2010年的2 加仑。 溢流式清洗器。自动的表面清洗并不是单独地将晶片浸泡在—池水中。完全的彻底的冲洗需要晶片表面有清洗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：75kb
    • 提供者：weixin_38638309

  1. 倒装芯片结构中不流动底部填充工艺参数

  2. 倒装芯片的传统装配方法是在芯片贴装前把液态的焊剂涂在衬底上，或者把凸块浸在焊膏的液态薄膜中。然后对装配件进行回流，并且把适当的密封剂填充到硅片下面。但是，当毛细作用力在圆片和衬底之间产生拖曳力时，免清洗溶剂残渣会损坏密封剂的湿度和流动性，对封装可靠性造成负面影响。而密封剂同样需要后固化，这样会就会使产量下降。　在贴装圆片前，预淀积一种不流动的化合溶剂和填充剂不仅可以消除免清洗焊剂中的残渣所带来的可靠性问题，同时还可以通过减少或消除密封剂的后固化时间而提高产量。尽管在热循环测试中它们的性能还是低于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：118kb
    • 提供者：weixin_38741317

  1. 8英寸全自动硅片清洗腐蚀设备成功上市了！！

  2. 近日，由国内半导体清洗设备制造企业---北京华林伟业公司自主研发的"8英寸全自动硅片清洗腐蚀设备"，已成功上市，并应用于国内江苏某8英寸项目中，得到了采购方的高度赞赏，该设备首次填补了国内半导体大生产线高端晶圆清洗设备的空白，对国内的半导体设备制造企业起到了带头作用，为中国半导体制造企业争得了荣誉。        　　 该研究课题在没有政府资金支持的情况下，完全由企业自主研发，自筹资金顶住压力，并由CTO亲自带队考察市场，立项，同时也得到了总经理的高度重视，从实际使用情况来看，设备的相关指标完全

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-07
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：weixin_38536267

  1. 一种去除化学机械抛光后残留有机物的新方法

  2. 提出硅片化学机械抛光后表面残留的有机物污染，介绍金刚石膜电化学合成过氧化物的方法与原理。根据有机物易被氧化分解的特性，采用金刚石膜电化学法合成过氧化物，利用过氧化物的氧化性氧化分解硅片化学机械抛光后表面的有机物残留配合特选的表面活性剂，并加超声清洗，物理化学方法结合，从而达到去除有机物污染的目的。实验表明，利用金刚石膜电化学法合成的过氧化物配合特选的表面活性剂作为清洗试剂，加超声进行清洗，能够有效去除硅片化学机械抛光后表面的有机物残留，达到较好的清洗效果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：467kb
    • 提供者：weixin_38659622

  1. 一文带你了解半导体硅晶片

  2. 硅片是生产集成电路的主要原材料。硅片尺寸越大则每片硅片上可以制造的芯片数量就越多，从而制造成本就越低。硅片尺寸的扩大和芯片线宽的减小是集成电路行业技术进步的两条主线。目前12寸硅片的出货量占比超过60％，是目前主流的硅片尺寸。 　　半导体硅片通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法（CZ Method）为主拉成不同电阻率的硅单晶锭，然而经过晶体定向→外圆滚磨→加工主、副参考面→切片→倒角→热处理→研磨→化学腐蚀→抛光→清洗→检测→包装等工序。 　　根据硅纯度的不同要求，可分为太阳能等级99，99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：188kb
    • 提供者：weixin_38731145

  1. 半导体电镀工艺解析

  2. 金镀层具有接触电阻低、导电性能好、可焊性好、耐腐蚀性强，因而电镀金在集成电路制造中有着广泛的应用，例如：在驱动IC封装中普遍使用电镀金凸块；在CMOS/MEMS中应用电镀金来制作开关触点和各种结构等；在雷达上金镀层作为气桥被应用；电镀还被用于UBM阻挡层的保护层，以及用于各种引线键合的键合面等等。     1  电镀金工艺1.1 电镀金工艺流程集成电路中的金电镀工艺流程：     ①在硅片上溅射钛、钛钨等金属作为黏附层，再溅射很薄的一层金作为电镀的导电层；②涂布光刻胶，光刻显影出电镀所需的图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：92kb
    • 提供者：weixin_38512781
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