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  1. 反激式电源设计中MOSFET的选择与功耗验证

  2. 讨论了反激电源设计的另外一个方面，即MOSFET 场效应管的选择和功耗验证，提出了相应的计算公式与验证流程。该思想也可用于其它电路设计中的MOSFET检验。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-28
    • 文件大小：328704
    • 提供者：wjduestc

  1. MOSFET的选择提供大家学习如何选择

  2. MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N 沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向 源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是 个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作， 并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零 时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-07-16
    • 文件大小：93184
    • 提供者：digitalamp

  1. 功率mosfet教程

  2. 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性，并为器件选择提供指导。最后，解释了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的数据表。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-18
    • 文件大小：569344
    • 提供者：caxap

  1. 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

  2. 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-12-30
    • 文件大小：312320
    • 提供者：tangqijia

  1. 功率 MOSFET的等效电路

  2. 功率 MOSFET的正向导通、反向导通、正向截止等效电路，稳态特性总结；包含寄生参数的功率MOSFET等效电路；功率 MOSFET的开通和关断过程原理；因二极管反向恢复引起的 MOSFET开关波形；功率 MOSFET的选择原则与步骤等。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2017-11-01
    • 文件大小：158720
    • 提供者：frood88

  1. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）.pdf

  2. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）pdf,UCC3809设计反激变换器（50W）在反激变换器中,变压器实际上是一个多绕组的耦和电感,变压器磁芯提 供耦合及隔离,而电感量给出储能大小,储存在空气隙中的电感的能量如下式 E Lp·(PEAK 2 (2) 此处,E为焦耳,Lp为初级电感,单位为享利。 Ipeak为初级电流,单位安 培。当开关导通时,D1反向偏置,没有电流流过二次绕组,初级绕组中流过斜 率如下式的电流 IN(min)v Rds(on) △t P (3) 此处,V1N(min)与

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 关于MOSFET驱动电阻的选择

  2. 关于开关电源中MOSFET驱动电阻的选择和参数设计，其中有电压电流波形、IC 的 的PWM 输出 、不同PCB走线对MOS驱动的影响。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-01-12
    • 文件大小：564224
    • 提供者：hxt217

  1. MOSFET管栅极阻尼电阻的选择

  2. 从电子电路最基础的理论知识出发，通过理论分析MOSFET场效应管栅极阻尼电阻Rg的选择，为实际的设计提供理论依据。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-11-11
    • 文件大小：155648
    • 提供者：stanleysit

  1. 关于MOSFET驱动电阻的选择

  2. L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。 Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。 Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V 计算式 这是个3阶系统，当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形，这是我们不希

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：196608
    • 提供者：weixin_38669091

  1. 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

  2. 本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS （零电压转换） 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定 MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-25
    • 文件大小：116736
    • 提供者：weixin_38715879

  1. 根据应用恰当选择MOSFET的技巧

  2. 鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上一直都是处于导通状态，故MOSFET的开关特性无关紧要，而导通阻抗(RDS(ON))却可能是这种应用的关键品质因数。然而，仍然有一些应用，比如开关电源，把MOSFET用作有源开关，因此工程师必须评估其它

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：191488
    • 提供者：weixin_38735119

  1. PMOS开关管的选择与电路图

  2. 在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：141312
    • 提供者：weixin_38577261

  1. PMOS开关管的选择与电路设计

  2. 首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38543293

  1. 计算大功率电源中MOSFET的功率耗散

  2. MOSFET的甄选从选择能够应付所要求的电流、提供足够的散热通道开始，在确定了要求的散热量并确保了散热途径后结束。本文介绍了计算MOSFET功率耗散和确定其工作温度的步骤说明，并辅以多相位、同步矫正、降压CPU内核20A电源设计实例，对每个计算步骤进行说明。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：437248
    • 提供者：weixin_38695452

  1. 同步升压转换器设计中MOSFET的选择策略

  2. 在个人计算机应用领域，随着为核心DC-DC转换器开发的同步升压转换器的开关频率向着1MHz-2MHz范围转移，MOSFET的损耗进一步增加。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：196608
    • 提供者：weixin_38502290

  1. 为具体应用恰当的选择MOSFET的技巧

  2. 鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上一直都是处于导通状态，故MOSFET的开关特性无关紧要，而导通阻抗(RDS(ON))却可能是这种应用的关键品质因数。然而，仍然有一些应用，比如开关电源，把MOSFET用作有源开关，因此工程师必须*估其它

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：192512
    • 提供者：weixin_38537941

  1. 显示/光电技术中的节能灯及整流器用磁环的选择

  2. 现节能灯和电子日光灯的应用已普及,但真正节能和质量好的却不是那么好做,关健是磁性材料的选择和使用上存在问题,这里主要谈一下脉冲变压器磁环,这是一个不容易掌握的小元件,而且是一个关健元件.在磁性材料生产单位,真正能生产好磁环的也不多,不是他们做不好,而是对小磁环在节能灯内的使用特性不堪了解.而使用者真正理解磁环的又不多,这造成了对小磁环的头痛。 　　在节能灯和电子整流器里,磁环实际是一个开关变压器,也是一个脉冲变压器 ,脉冲变压器的磁心结构为环形较多些,常用规格有:T12**,T9*5*3,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38631389

  1. 模拟技术中的为具体应用恰当的选择MOSFET的技巧

  2. 鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上一直都是处于导通状态，故MOSFET的开关特性无关紧要，而导通阻抗(RDS(ON))却可能是这种应用的关键品质因数。然而，仍然有一些应用，比如开关电源，把MOSFET用作有源开关，因此工程师必须*估其它

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：167936
    • 提供者：weixin_38677306

  1. 为具体应用恰当的选择MOSFET的技巧

  2. 鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上一直都是处于导通状态，故MOSFET的开关特性无关紧要，而导通阻抗(RDS(ON))却可能是这种应用的关键品质因数。然而，仍然有一些应用，比如开关电源，把MOSFET用作有源开关，因此工程师必须*估其它的M

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：193536
    • 提供者：weixin_38622475

  1. 菜鸟选择MOSFET的四步骤！

  2. 一位工程师曾经对我讲，他从来不看MOSFET数据表的页，因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上，MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标，这些指标在数据表上是如何表述的，以及你理解这些指标所要用到的清晰图片。像大多数电子器件一样，MOSFET也受到工作温度的影响。所以很重要的一点是了解测试条件，所提到的指标是在这些条件下应用的。还有很关键的一点是弄明白你在“产品简介”里看到的这些指

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：285696
    • 提供者：weixin_38674763
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