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  1. 基础电子中的关于肖特基二极管型号的命名、字母含义、解释

  2. 肖特基二极管的命名 　　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的， 　　完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR）， 　　也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。 　　肖特基：Schottky 　　整流：Rectifier 　　SR:即为肖特基整流二极管 　　Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管，简称：SR,比如：SR107,

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    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：123904
    • 提供者：weixin_38749305

  1. 基础电子中的肖特基二极管原理和应用

  2. 一、肖特基二极管简介 　　肖特基二极管是德国科学家肖特基（Schottky）1938年发明的。肖特基二极管与普通的PN结二极管不同。是使用N型半导体材料与金属在一起结合形成金属一半导体结。肖特基二极管比普通二极管有正向压降低、反向电荷恢复时间短（10ns以内）等优点。 　　应用特点：适合于高频、大电流、低电压整流电路以及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路等。 　　二、肖特基产品特性 　　1.肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多，所以自身功耗较小，效率高。2.由于反

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：221184
    • 提供者：weixin_38503233

  1. 元器件应用中的肖特基二极管在电源管理中的应用

  2. 【导读】很多设计都采用一个转换器设计（网络）工具推荐的二极管。这并非总是二极管的最优选择。本文将探讨一些在选择正确的二极管时应仔细考虑的典型参数，以及如何应用这些参数来快速确定选型的正确与否。 　　任何非同步直流/直流转换器都需要一个所谓的续流二极管。为了优化方案的整体效率，通常倾向于选择低正向电压的肖特基管。很多设计都采用一个转换器设计（网络）工具推荐的二极管。这并非总是二极管的最优选择。更何况，如果设计工具不考虑热性能和漏电流之间的动态变化，则极有可能发生实际性能有别于设计工具的分析 或模

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    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：117760
    • 提供者：weixin_38564718

  1. 元器件应用中的Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度

  2. Diodes推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基（Schottky） 二极管，为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积，实现双倍功率密度。 　　全新30V及0.2A SDM0230CSP肖特基二极管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盘封装，热阻仅为261oC/W,比DFN0603封装低约一半，有效把开关、反向阻断和整流电路的功耗减半。 　　SDM0230CSP的占位面积为0.18mm2,比采用了行业标准的DFN1006及

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    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38741540

  1. 元器件应用中的标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现

  2. 摘要：随着射频无线通讯事业的发展，高性能低成本的射频设计方案越来越受到人们的亲睐。肖特基势垒二极管在射频电路中是重要的元件组成，属于一种多数载流子器件，高频性能非常优越。本文主要介绍一种在标准CMOS工艺的基础上，提出的集成肖特基二极管设计方法，并且该方法在charted 0.35μm工艺中以MPW的方式得以实现。       为了使串联电阻有效的降低，特别在肖特基版图中采用交织的方法。通过对实测所设计的肖特基二极管，以所测得的C-V、I-V及S参数对肖特基二极管的势垒电压、饱和电流及反向击穿

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：279552
    • 提供者：weixin_38658086

  1. 肖特基二极管在电源管理中的应用分析

  2. 任何非同步直流/直流转换器都需要一个所谓的续流二极管。为了优化方案的整体效率，通常倾向于选择低正向电压的肖特基管。很多设计都采用一个转换器设计（网络）工具推荐的二极管。这并非总是二极管的最优选择。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：142336
    • 提供者：weixin_38691641

  1. 基于雪崩性能选择肖特基二极管

  2. 汽车电子模块要求采取反向电池保护措施，以避免不良电池操作可能导致的损坏风险。肖特基二极管是这种应用的首选器件，因为它们具有很低的前向压降性能。

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    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：86016
    • 提供者：weixin_38693589

  1. 实用电源设计Q&A系列之九：如何用双高压型肖特基整流器提高开关电源效率

  2. 实用电源设计Q&A系列之九——如何用双高压型肖特基整流器提高开关电源效率。

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    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38670186

  1. 元器件应用中的Cree推出650V碳化硅肖特基二极管C3DXX065A系列

  2. Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能效提高多达 5% 。由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的 10%，任何水平的能效提升都会有助于大幅降低总体能耗。 　　常规开关电源一般输入电压范围为 90V~264V，可以支持世界各地的各种交流输入电源。现有的数据中心电源架构一般采用本地供电单位提供的三相

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    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38734506

  1. 元器件应用中的Vishay推出功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的20V n通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型PowerPAK SC-75封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其在100mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1.5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合。 　　当便携式电子设备变得越来越小时，元件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积，Vishay的SiB80

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    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38624914

  1. 元器件应用中的肖特基势垒二极管

  2. 肖特基势垒二极管（也叫热载子二极管）在机械构造上与点接触二极管很相似，但它比点接触二极管要耐用，而且功率也更大。图（a）给出了肖特基势垒二极管的基本构造。图（b）是其等效电路。这种形式的电路是威廉姆·肖特基（WilliamSchottky）在1938年研究多数载流子的整流现象时提出的。 　　“肖特基势垒”是一种量子力学势垒，形成于金属和半导体的界面处。反向偏置电压增加时势垒也增加，正向偏置时势垒减少（或者接近消失）。反向偏置时半导体材料的电子没有足够的能量越过势垒，所以此时没有电流。当正向

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    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38629449

  1. 元器件应用中的英飞凌推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管

  2. 英飞凌(infineon)科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列，不仅包括TO-220封装(真正的双管脚版本)产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。 　　SiC肖特基二极管的主要应用

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    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38638312

  1. 元器件应用中的安森美半导体推出4款新的30伏肖特基势垒二极管

  2. 全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装，为便携电子设计人员提供业界最小的肖特基二极管和同类最佳的空间性能。 　　这些新的肖特基二极管提供低正向电压或低反向电流，额定正向电流为100毫安(mA)或200 mA，其中后者是业界最小巧的额定200 mA器件。这些新的器件为越来越多空间受限的应用解决问题，例如手机、MP3播放器和数码相机等。 　　安森美半导体小信号产

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    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38581447

  1. 元器件应用中的英飞凌推出性能改进的第三代thinQ! SiC肖特基二极管

  2. 英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列，不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。 　　SiC肖特基二极管的主要应用领域是开关模式电源（

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    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38745648

  1. 元器件应用中的Vishay小尺寸100V势垒肖特基整流器典型VF低至0.56V

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出电流密度高达2A~4A、采用低尺寸表面贴装SMA和SMB封装的新款100V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。 　　此次发布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封装的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封装的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封装的厚度分别只有2.29mm和2.44mm。 　　由于器件具有0.56V的极低典型前向电压降和优异的雪崩容量

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    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：56320
    • 提供者：weixin_38536716

  1. 元器件应用中的特瑞仕超小型封装0603尺寸的肖特基二极管

  2. 特瑞仕半导体针对便携式仪器市场向小型化、薄型化进步的需要、开发了两种世界上最小级别的肖特基二极管产品。 　　XBS013V1DR-G和XBS013R1DR-G是超小型封装USP-2B01 (0.6 x 0.3 x h0.3mm)的肖特基二极管。超小型封装有利于缩小实装面积、节省空间。用于便携式仪器等小功率电路中，特别是反向漏电流 (0.3μAVR=10V)较小的XBS013R1DR-G最适合应用于各种放大器的输入保护功能。此外、两个系列均实现了低VF (XBS013V1DR-G: VF=0.3

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    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38750644

  1. 元器件应用中的安森美半导体集成肖特基二极管的30V MOSFET问世

  2. 安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。 　　NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值，针对降压转换器应用中的同步端而优化，达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及12.2 nC，确保开关损耗也保持最低。 　　安

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    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38595850

  1. 元器件应用中的英飞凌推出TO-220 FullPAK封装的第二代SiC肖特基二极管

  2. 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离套管和隔离膜，使安装更加简易、可靠。 　　独具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于英飞凌已获得专利的扩散焊接工艺，该技术大大降低了内部芯片到管脚的热阻，有效地弥补了FullPAK内部隔离

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    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38664532

  1. 元器件应用中的Vishay推出第五代高性能45V肖特基二极管30CTT045/60CPT045

  2. Vishay宣布推出最大结温高达 +175℃ 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与 60CPT045 器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。 　　日前推出的这两款肖特基二极管在 +125℃ 时具有超低的最大正向压降，对于 2 x 30A 60CPT045，30A 时典型正向压降低于 0.50V，对于 2 x 15A 30CTT045，15A 时典型正向压降低于 0

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    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38750999

  1. 元器件应用中的什么是肖特基二极管

  2. 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 　　肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38691199
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