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  1. 元器件应用中的使用肖特基二极管的DBM电路的构成

  2. 肖特基二极管具有开关速度很快，而且正向电压低，低耦合容量的特征。为活用其高频特性．多使用在DBM (双重均衡混频器)电路中。 　　DBM电路的应用有平衡调制、同步检波、混频等．在调制信号上给子脉冲波，进行脉冲调制；给予直流电压调增益电路；在偏压电路上重叠调制信号的振幅调制电路等都很容易实现。图1是典型的应用举例。 　　图1 DBIM代表性应用电路 　　图2是由肖特纂二极管组成的最基本的DBM电路，它由2细平衡器和二极管桥式电路(注意D1～D2的极眭)构成，一般市场上出售的多是封装在如图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：172032
    • 提供者：weixin_38663837

  1. 元器件应用中的高速整流用肖特基势垒二极管1GWJ42的特性

  2. 如图表示测定的此种二极管的开关特性。额定为40V、1A，逆恢复时间在35ns以下的二极管。由于是肖特基势垒型，正向电压VF很小，所以可实现的损耗的整流电路。 　　观察波形的图片，和1S1885相比，逆恢复特性得到了大大的改善。 　　图 高速整流二极管1GWJ42的逆恢复特性　　  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：95232
    • 提供者：weixin_38692631

  1. 电源技术中的PWM DC/DC转换器肖特基二极管（SBD）

  2. 肖特基（Schottky）二极管是将金属层沉积在N型硅的薄薄外延层上，利用金属和半导体之间的接触势垒获得单向导电作用，相当于PN结。这个接触面称为“金属半导体结”。肖特基二极管的全名应为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）。现有的大多数肖特基二极管都是用硅（51）半导体材料，新材料碳化硅（SiC）的SBD也已被应用。 　　1）硅SBD的特点 　　正向压降比PN结二极管低，约为后者的1/2～1/3，典型值为0.45～0.55V，新型低压的可以低达0.32V；

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38648396

  1. 元器件应用中的肖特基二极管（SBD）

  2. 一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 ns数量级；适用于低电压（小于50 V）的功率电子电路中（当电路电压高于100 V以上时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：204800
    • 提供者：weixin_38740144

  1. 显示/光电技术中的GaN基肖特基结构紫外光电探测器

  2. GaN光电导型探测器的最大缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下，GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。第一支GaN基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四，它具有如图1（a）所示的结构：它也是在蓝宝石衬底上外延生长GaN，通过掺杂Mg实现P型掺杂，最后再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触，图中Ti/Au为肖特基接触，Cr/Au为欧姆接触。零偏压下光响应是0.13A/W，响应时间大约为1uS，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38505158

  1. 电源技术中的Vishay推出新型高电流密度肖特基整流器

  2. Vishay Intertechnology公司今天宣布推出新系列高电流密度肖特基整流器。该系列产品采取致密封装，额定前向电流高达其它同类产品的三倍，具有高效及节省空间的特点。 　　与工业标准器件相比，此新型产品能处理更高电平电流，而所需的空间更少。今天发布的SMA封装整流器能处理2A或3A，而对应的工业标准值则为1A。同样，SMB与SMC封装高电流密度肖特基整流器能分别处理4A及5A，而相对应的工业标准值则为2A及3A。事实上，Vishay 提供的SMB封装产品是业内第一款这类封装的4-A额定

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38627769

  1. 显示/光电技术中的Linear推集成肖特基二极管白光LED驱动器

  2. Linear推出双路、全功能、升压型 DC/DC 转换器 LT3497，该器件从锂离子电池输入驱动多达 12 个白光 LED。其高效率、固定频率工作确保一致的 LED 亮度和低噪声并最大限度地延长电池寿命，由于有片上肖特基二极管，因此无需外部二极管，从而节省了成本和空间。True Color PWMTM 调光实现高达 250:1 的调光范围，而 LED 没有任何颜色改变。LT3497 的两个独立转换器能够用 2.5V 至 10V 的输入电压驱动不对称的 LED 串（每个转换器多达 6 个串联 L

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38639237

  1. 元器件应用中的Zetex推出高效率低漏泄肖特基二级管

  2. 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex推出ZLLS350肖特基势垒二极管。该器件在30V下的典型及最大逆向额定电流分别为1μ和4μA，有助于延长从充电器到发光二极管(LED)驱动器等多种应用系统的电池寿命。 　　该器件的这种特性配合极低的正向电压 —一般在30mA正向电流下仅为380mV，这意味着采用SOD523封装的微型器件的效率远远超过了较大封装的器件。 　　Zetex亚洲区副总裁林博文指出，这款40V额定电压器件提高了最高工作温度，温度规格由125oC提升到150oC，成功突破了一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38709816

  1. 通信与网络中的泰科推出适用于手机和RFID检测的ZBD硅肖特基二极管

  2. 泰科电子(Tyco Electronics)旗下M/A-COM公司近日发布系列零偏置检测器(Zero Bias Detector， ZBD)硅肖特基二极管——MA4E2200，据介绍，这款MA4E2200适合于手机和RFID检测应用。  　　此系列器件采用通用的JEDEC塑料封装：SOD-323、SOT-23和SOT-143，适合大批量表面安装的回流焊接工艺流程。它们提供单片、T型、反T型和无连接对器件配置。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　这些

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38622983

  1. 元器件应用中的Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件

  2. Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片MOSFET/肖特基器件，以及使用相同控制器 IC 及高端 MOSFET 的业界标准分立 MOSFET 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用SkyFET器件的电路在运行时均具有更高效率。例如，在 300kHz、6A 时，效率超过 91%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38570202

  1. Vishay推出首款200V双高压TMBS Trench肖特基整流器

  2. Vishay在提供同步整流解决方案的低成本替代产品进程中宣布推出首款200V、30A双高压TMBS Trench肖特基整流器。V30200C具有比平面肖特基整流器更出色的多种优势。当工作电压转向100V及更高时，平面肖特基整流器的高转换速度及低正向压降优势往往会大大折扣。但已获专利的TMBS结构可消除到漂移区的少数载流子注入，从而最大程度地减少存储的电荷，以及提高转换速度。     凭借在 15A及 +125℃时一般为 0.648V 的极低 VF以及出色的转换性能，V30200C 可降低功耗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38712908

  1. 元器件应用中的Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件

  2. Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高 6%。　　新型 Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片 MOSFET/肖特基器件，以及使用相同控制器 IC 及高端 MOSFET 的业界标准分立 MOSFET 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用 SkyFET 器件的电路在运行时均具有更高效率。例如，在 300kHz、6A 时，效率超过 91%。这些优势是通过以下特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38650629

  1. 基础电子中的肖特基二极管的封装及外形

  2. 肖特基二极管的封装采用TO-220.TO-3P封装形式和表面封装形式。　　在TO-220封装形式中，据其内部结构又可分为单管和对管两种，对管又可分为共阴对管、共阳对管和串联对管三种形式。如图所示。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图:肖特基二极管的引出脚方式　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(a)共阳;(b)共阴;(c)、(d)串联　　　图所示(a)为共阳对管，即两管的正极相连。(b)为共阴对管，即两管的负极相连。(c)、(d)为串联对管。　　肖特基二极管的外形如图所

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38614484

  1. 基础电子中的肖特基二极管常用型号及参数

  2. 常用的 有D80-004型、MBRl545型 、MBR2535型、B82一004型等，主要参数如表3-9所示。　　常用的表面封装肖特基二极管有RB型等，主要参数如表所示。     　　　　　　　　　　　　　　  　　　　表1：常用肖特基二极管主要参数   表2：表面封装共阴对管主要参数  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：134144
    • 提供者：weixin_38632488

  1. 基础电子中的肖特基二极管

  2. 肖特基二极管是肖特基势垒二极管的简称，它属于大电流、低功耗、超高速半导体整流器件。它的特点是反向恢复时间很短，其值可小到几纳秒，而工作电流却可达到儿千安培。　　　　肖特基二极管在电路中主要是作整流二极管、续流二极管、保护二极管以及小信号检波，主要用在低电压、大电流的电路中，如驱动器、开关电源、变频器、逆变器等电路。对于点接触型肖特基二极管，主要用于微波通信电路。　　　　另外，还有一种铝硅肖特基二极管，除用于开关电路外，主要用于高频电路中作检波和鉴频，代替2AP9等检波二极管。如2S11的频率可达

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：28672
    • 提供者：weixin_38548817

  1. 元器件应用中的凌力尔特LTC4355用N沟道MOSFET取代肖特基二极管

  2. 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极管“或”电路可降低功耗、减小热耗散及所占用的印刷电路板面积。该器件9V至80V的宽工作电压范围支持具有两个正电源的二极管“或”应用，如12V分布式总线架构，或两个负电源的返回通路，如-48V AdvancedTCA(ATCA)应用。另外，LTC4355监

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    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38707342

  1. ROHM新开发GMD2系列肖特基二极管采用0603规格小型封装

  2. ROHM开发的最新GMD2系列产品，采用先进的齐纳二极管、肖特基势垒二极管封装技术，实现了当今世界上最小、最薄的封装尺寸，适合于手机和数码相机等各种追求小型化、薄型化设计的电子产品。       0603尺寸GMD2封装系列的主要优点       0.6mm×0.3mm超小型封装尺寸       高度0.3mm的超薄型       与过去同类产品相比较(1006封装尺寸：1.0mm×0.6mm)，面积仅有从前产品的67%，厚度则消减了20%。       保证100mW的封装功率(与1

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    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38635794

  1. 元器件应用中的凌力尔特推出集成肖特基二极管的双路高效率白光LED驱动器..

  2. 日前，凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出双路、全功能、升压型DC/DC转换器LT3497，该器件从锂离子电池输入驱动多达12个白光 LED。其高效率、固定频率工作确保一致的LED亮度和低噪声并最大限度地延长电池寿命，由于有片上肖特基二极管，因此无需外部二极管，从而节省了成本和空间。True Color PWMTM调光实现高达250:1的调光范围，而LED没有任何颜色改变。LT3497的两个独立转换器能够用2.5V至10V的输入电压驱动不对称的LED串(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38697274

  1. 元器件应用中的Vishay推出首款FlipKY芯片级肖特基二极管

  2. Vishay当前正在提供目前最小的FlipKY芯片级肖特基二极管。日前宣布推出的Vishay FCSP FlipKY系列包含0.5A、1.0A及1.5A器件，这些器件的占位面积为0.9mm×1.2mm及1.5mm×1.5mm。凭借0.6mm(1A器件)及0.5mm(0.5A器件)的超薄厚度，Vishay FlipKY芯片级肖特基二极管可节省手机、蓝牙附件、PDA、MP3播放器、数码相机、个人视频播放器及其他需要超薄器件的便携式电子系统的空间。典型应用包括电池保护、续流二极管、升压二极管及电流导引

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38750721

  1. 元器件应用中的意法半导体和Velox联合推出电源用GaN肖特基二极管

  2. 意法半导体(ST)和Velox半导体公司宣布在市场上联合推出GaN(氮化镓)肖特基二极管的合作销售协议。成为市场上公认的GaN肖特基二极管双货源供应商是两家公司共同的长远目标。GaN二极管使设备厂商能够设计和制造尺寸更小、效率更高、成本更低的计算机、消费电子和工业产品用开关电源(SMPS)。 　　两家公司都认为ST和Velox的互补性技能将会加快关键技术的开发，提高合作项目的成功概率，让双方筹借到所需的资金，提高产品的数量和质量。Velox正在开发600V的GaN肖特基二极管，目前新产品已进

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38553466
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