注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 二极管资料大全（很详细）

  2. 包含了：1.塑封整流二极管 2.快恢复塑封整流二极管 3.超高频塑封二极管 4.超快恢复塑封二极管 5.肖特基整流二极管 6.玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管 7.PD、TR、PR 系列高压塑封二极管 8.稳压二极管 9.高速开关二极管等的详细资料。欢迎大家一起分享。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-12-15
    • 文件大小：262144
    • 提供者：myongle

  1. 1N5818/1N5819中文资料

  2. 肖特基整流二极管相关参数，相关类型规格，以及相关特性曲线！

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-11
    • 文件大小：345088
    • 提供者：HOOKPOOP

  1. BAS82肖特基二极管

  2. 说明书，内有详细的介绍；各项参数齐全，是英文版本说明书

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-09-19
    • 文件大小：52224
    • 提供者：zhujinjun1990

  1. 肖特基RF607

  2. FR607肖特二极管 耐压700V 平均电流6A

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-08-08
    • 文件大小：151552
    • 提供者：qq_30448701

  1. 肖特基二极管原理和应用

  2. 一、肖特基二极管简介 　　肖特基二极管是德国科学家肖特基（Schottky）1938年发明的。肖特基二极管与普通的PN结二极管不同。是使用N型半导体材料与金属在一起结合形成金属一半导体结。肖特基二极管比普通二极管有正向压降低、反向电荷恢复时间短（10ns以内）等优点。 　　应用特点：适合于高频、大电流、低电压整流电路以及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路等。 　　二、肖特基产品特性 　　1.肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多，所以自身功耗较小，效率高。2.由于反

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：273408
    • 提供者：weixin_38603219

  1. 关于肖特基二极管型号的命名、字母含义、解释

  2. 肖特基二极管的命名 　　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的， 　　完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR）， 　　也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。 　　肖特基：Schottky 　　整流：Rectifier 　　SR:即为肖特基整流二极管 　　Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管，简称：SR,比如：SR107,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：138240
    • 提供者：weixin_38596485

  1. 如何用指针式万用表检测肖特基二极管

  2. 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。 　　肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。显着的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 　　与以PN结为基础的二极管相比，肖

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：171008
    • 提供者：weixin_38686677

  1. 深度挖掘肖特基二极管应用要点

  2. 肖特基二极管广泛应用于开关电源中，每一个从事电子行业的人都有听过肖特基，但我们是否真正了解,肖特基内部结构、应用范围以及为什么肖特基广泛应用于高频开关电源中?那么下面就让我们一起走进肖特基的世界寻找我们想要的答案。       二极管有多种类型：按材料分为锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等;按管芯结构可分为面接触二极管和点接触二极管;按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等;按照结类型又可分为半导体结型二极管和金属半

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：102400
    • 提供者：weixin_38622962

  1. 很全的肖特基二极管知识

  2. 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的简称。 　　肖特基二极管原理及结构 　　和其他的二极管比起来，肖特基二极管有什么特别的呢？ 　　SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 　　典型的肖特基整

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：118784
    • 提供者：weixin_38562725

  1. 关于肖特基二极管的知识

  2. 肖特基二极管简介 　　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 　　 　　肖特基二极管原理 　　肖特基二极管是贵金属（金、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：313344
    • 提供者：weixin_38709466

  1. Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理

  2. Littelfuse, Inc.今日宣布推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅（SiC）肖特基二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A）。 它们可为电力电子系统设计师提供各种性能优势，包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175°C运行结温，因此是需要增强效率、可靠性与热管理应用的理想选择。 　 　　相比标准型硅PN结二极管，650V系列碳化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：101376
    • 提供者：weixin_38685876

  1. 肖特基二极管与场效应管有什么区别？

  2. 肖特基二极管自从替代传统的普通的二极管后受到了用户的的青睐和喜欢，但是有些时候也会有傻傻分不肖的时候，肖特基二极管和场效应管有什么区别？ 　　肖特基二极管是二极管，特点是低功耗、超高速、反向恢复时间极短、正向压降小，适合做整流电路；场效应管是三极管，特点是输入阻抗高、噪声小、功耗低、漏电流小，开关特性好，适合做放大电路或开关电路。 　　二极管与三极管完全是2种类型，不能相比，但同属电子元件类。 　　肖特基二极管和普通二极管或场效应管的外观还是多少有点相似的，用户在使用时会有所困惑也是难免的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：214016
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 什么是肖特基势垒

  2. 肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。 　　肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp >> kT）,以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触（施敏, 半导体器件物理与工艺, 第二版, 7.1.2）。 　　肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。 　　金属与n型半导体形成的肖特基势垒如图1所示。金

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38638596

  1. 如何区分场效应管和肖特基二极管?

  2. 肖特基二极管自从替代传统的普通的二极管后受到了用户的的青睐和喜欢，但是有些时候也会有傻傻分不肖的时候，肖特基二极管和场效应管有什么区别? 　　肖特基二极管是二极管，特点是低功耗、超高速、反向恢复时间极短、正向压降小，适合做整流电路;场效应管是三极管，特点是输入阻抗高、噪声小、功耗低、漏电流小，开关特性好，适合做放大电路或开关电路。 　　二极管与三极管完全是2种类型，不能相比，但同属电子元件类。 　　肖特基二极管和普通二极管或场效应管的外观还是多少有点相似的，用户在使用时会有所困惑也是难免的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：188416
    • 提供者：weixin_38688890

  1. 肖特基二极管原理及结构

  2. 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的简称。 　　肖特基二极管原理及结构 　　和其他的二极管比起来，肖特基二极管有什么特别的呢？ 　　SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 　　典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38745859

  1. 采用额外的肖特基二极管减少干扰

  2. 在负载点(POL)降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图 1 显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高，因为与采用无源二极管的情况相比，低端开关承载电流时的压降更低。　　但是，与异步开关稳压器相比，同步降压转换器会产生更大的干扰。如果图 1 中的两个理想开关同时导通，即使时间很短，也会发生从输入电压到地的短路。这会损坏开关。必须确保两个开关永远不会同时导通。因此，出于安全考虑，需要在一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38691256

  1. 一文知道肖特基二极管的热电子极化效应

  2. 当光入射到金属纳米结构时，会产生一种独特的光学现象，称为局域表面等离子体共振（LSPR），它是由金属中的自由电子与入射光子发生共振而引起的自由电子的集体振荡。在LSPR激发后，表面等离子体激元可以通过辐射或非辐射效应进行衰变，其中辐射衰变是通过重新发射光子的机制进行的，而非辐射衰变可以通过朗道阻尼将金属内部的电子激发成为热电子。这些被激发的热电子的寿命很短，这主要是受到金属内部电子间的散射驰豫所致。为了利用这些被激发的热电子，人们提出了一种将金属纳米结构与半导体接触而形成肖特基结的器件。对于距离

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：117760
    • 提供者：weixin_38691641

  1. 肖特基二极管的反向恢复过程解析

  2. 肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。　　（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。　　不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。　　肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15~0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。　　另一个特点是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。　　所以肖特基二极管一般用作高频、大电流整流、低压、续流二极管、保护二极管等。　　二极管从正向导通到反向截止有一个反

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：126976
    • 提供者：weixin_38655998

  1. ADI - 采用额外的肖特基二极管减少干扰

  2. 在负载点(POL)降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高，因为与采用无源二极管的情况相比，低端开关承载电流时的压降更低。　　但是，与异步开关稳压器相比，同步降压转换器会产生更大的干扰。如果图1中的两个理想开关同时导通，即使时间很短，也会发生从输入电压到地的短路。这会损坏开关。必须确保两个开关永远不会同时导通。因此，出于安全考虑，需要在一定时间内

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：138240
    • 提供者：weixin_38611388

  1. 碳化硅肖特基二极管的优点及应用

  2. 碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k。　　它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。　　其优点是：　　（1）碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小。　　（2）碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38699757
« 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 12 13 ... 32 »