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  1. 有关二极管的分类与作用

  2. 肖特基二极管 变容二极管 瞬变电压抑制二极管

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-02-28
    • 文件大小：11264
    • 提供者：zxm211

  1. 肖特基二极管F10U60DN.pdf

  2. 肖特基二极管F10U60DNpdf,肖特基二极管F10U60DN

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-25
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38743481

  1. NSR0230肖特基二极管

  2. 降压0.325伏， IF = 10 mA； 常用的替换0.7V型，小功率二极管

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-11-19
    • 文件大小：45056
    • 提供者：CCB_bao

  1. 开关电源中肖特基二极管的作用

  2. 开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：254976
    • 提供者：weixin_38731979

  1. 分析肖特基二极管在电源管理中的应用

  2. 本文将探讨一些在选择正确的二极管时应仔细考虑的典型参数，以及如何应用这些参数来快速确定选型的正确与否。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-21
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38697274

  1. 肖特基二极管在电源管理中的应用分析

  2. 本文将探讨一些在选择正确的二极管时应仔细考虑的典型参数，以及如何应用这些参数来快速确定选型的正确与否。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38626928

  1. 肖特基二极管在电源管理中的应用

  2. 本文将探讨一些在选择正确的二极管时应仔细考虑的典型参数，以及如何应用这些参数来快速确定选型的正确与否。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38737366

  1. 肖特基二极管与普通二极管的区别

  2. 两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38558186

  1. 模拟技术中的如何降低肖特基PIN限幅器损耗

  2. 介绍 　　无线通信接收器前端可能会因同步或异步信号传输形成过载[1],在时域双工系统中，交换器或循环器连接端口间的非完美隔离会造成前者，后者则由两个未相关系统天线间造成的非故意耦合产生，在核磁共振（NMR, Nuclear Magnetic Resonance）接收器中，另一个造成过载的原因为发出刺激脉冲后探针线圈上储存能量所带来的振铃信号[2],缩小低噪声放大器（LNA, Low Noise Amplifier）器件尺寸的作法虽然可以改善射频性能，但却会牺牲过载的承受能力，例如采用0.25μ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：327680
    • 提供者：weixin_38608189

  1. 英飞凌推出其第五代碳化硅肖特基二极管

  2. 导读：英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。 　　“第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。因此，二极管损耗比之上一代产品降低了多达30%,譬如在20 kHz频率上以满负荷工作的三相太阳能逆变器的前端升压级中。 　　新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压，其浪涌电流承受能力提高了一倍以上，并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性，该产品

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38694006

  1. 肖特基二极管在电源管理中的应用

  2. 很多设计都采用一个转换器设计（网络）工具推荐的二极管。这并非总是二极管的最优选择。本文将探讨一些在选择正确的二极管时应仔细考虑的典型参数，以及如何应用这些参数来快速确定选型的正确与否。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：129024
    • 提供者：weixin_38606041

  1. 论述如何降低肖特基PIN限幅器损耗

  2. 无线通信接收器前端可能会因同步或异步信号传输形成过载[1]，在时域双工系统中，交换器或循环器连接端口间的非完美隔离会造成前者，后者则由两个未相关系统天线间造成的非故意耦合产生，在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中，另一个造成过载的原因为发出刺激脉冲后探针线圈上储存能量所带来的振铃信号[2]，缩小低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法虽然可以改善射频性能，但却会牺牲过载的承受能力.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：288768
    • 提供者：weixin_38592758

  1. 改善高速IC比较器瞬态响应肖特基二极管的电路设计

  2. 在设计实例中，一条电路把精确DC基准电压切换到高速IC比较器的非逆变输入端。该电路使用一个先断后连(BBM)方式工作的2 : 1多路复用器。多路复用器有寄生电容，后者向多路复用器的D1漏极注入的电荷QD1INJ可能会导致比较器的基准输入端出现误差电压(图1)。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38680308

  1. 电源技术中的适合各种电源应用的碳化硅肖特基二极管

  2. 功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理PFC的规定，能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的附加驱动因素。 　　主动PFC有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。DCM模式一般用于输出功率在75W到

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：182272
    • 提供者：weixin_38752907

  1. 元器件应用中的品佳积极推广英飞凌第二代硅碳化物肖特基二极管

  2. 品佳近日积极推广英飞凌thinQ!TM2G家族－第二代硅碳化物Schottky二极管。该产品提供超越前一代的转换交换(switching)功能,能够让SMPS厂商降低系统成本，减少转换的损失;提高了转换之频率，便能采用更小、更便宜以及更少的被动零组件和具成本效益的晶体管。产品规格涵盖完整,其阻隔电压为600volts(4A,5A,6A,8A,2×5A,2×6A,2×8A)。  　　全新的SiC二极管在冲击(surge)电流，不但比第一代至少加强了一倍，并且在坚固耐用方面也大为改善，因此能够处理更

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38657139

  1. 如何降低肖特基PIN限幅器损耗

  2. 介绍 　　无线通信接收器前端可能会因同步或异步信号传输形成过载[1],在时域双工系统中，交换器或循环器连接端口间的非完美隔离会造成前者，后者则由两个未相关系统天线间造成的非故意耦合产生，在核磁共振（NMR, Nuclear Magnetic Resonance）接收器中，另一个造成过载的原因为发出刺激脉冲后探针线圈上储存能量所带来的振铃信号[2],缩小低噪声放大器（LNA, Low Noise Amplifier）器件尺寸的作法虽然可以改善射频性能，但却会牺牲过载的承受能力，例如采用0.25μ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：294912
    • 提供者：weixin_38629449

  1. 使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入

  2. 任何高性能ADC，尤其是射频采样ADC，输入或前端的设计对于实现所需的系统级性能而言很关键。很多情况下，射频采样ADC可以对几百MHz的信号带宽进行数字量化。前端可以是有源（使用放大器）也可以是无源（使用变压器或巴伦），具体取决于系统要求。无论哪种情况，都必须谨慎选择元器件，以便实现在目标频段的ADC性能。简介射频采样ADC采用深亚微米CMOS工艺技术制造，并且半导体器件的物理特性表明较小的晶体管尺寸支持的电压也较低。因此，在数据手册中规定的出于可靠性原因而不应超出的电压，将当前主流的射频采样A

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：165888
    • 提供者：weixin_38708105

  1. GaN基肖特基结构紫外光电探测器

  2. GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下，GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支GaN基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四，它具有如图1（a）所示的结构：它也是在蓝宝石衬底上外延生长GaN，通过掺杂Mg实现P型掺杂，再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触，图中Ti/Au为肖特基接触，Cr/Au为欧姆接触。零偏压下光响应是0.13A/W，响应时间大约为1uS，光谱响应也为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38537050

  1. ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特基势垒二极管“RBxx8BM/NS200”

  2. 知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统，开发出200V耐压的超低IR※1肖特基势垒二极管※2（以下简称“SBD”）“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。 　　ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特基势垒二极管“RBxx8BM/NS200” 　　RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新产品，该系列产品是可在高温环境下工作的超低IR SBD，已经在日本国内的汽车市场取得非常优异的业绩。此次，利用其超低IR特性，实现了高达20

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-13
    • 文件大小：71680
    • 提供者：weixin_38596267

  1. 氢等离子体表面处理和AlxOx保护环结构增强AZO / Si肖特基势垒二极管的电特性

  2. 氢等离子体表面处理和AlxOx保护环结构增强AZO / Si肖特基势垒二极管的电特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-31
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38647822
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