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  1. 元器件应用中的Zetex高效率低漏泄肖特基二级管

  2. Zetex推出ZLLS350肖特基势垒二极管。该器件在30V下的典型及最大逆向额定电流分别为1μ和4μA，有助于延长从充电器到发光二极管（LED）驱动器等多种应用系统的电池寿命。       该器件的这种特性配合极低的正向电压 —一般在30mA正向电流下仅为380mV，这意味着采用SOD523封装的微型器件的效率远远超过了较大封装的器件。       Zetex亚洲区副总裁林博文指出，这款40V额定电压器件提高了最高工作温度，温度规格由125oC提升到150oC，成功突破了一般肖特基二极管的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38631049

  1. 使用肖特基二极管的330-500GHz第四谐波混频器

  2. 使用肖特基二极管的330-500GHz第四谐波混频器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：545792
    • 提供者：weixin_38557935

  1. 使用肖特基二极管的宽带八次谐波混频器

  2. 使用肖特基二极管的宽带八次谐波混频器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：192512
    • 提供者：weixin_38645434

  1. 基于平面肖特基二极管的420GHz次谐波混频器设计

  2. 基于平面肖特基二极管的420GHz次谐波混频器设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38603924

  1. 基于混合Al：MgZnO / PEDOT：PSS肖特基二极管的自供电UV-B光电探测器

  2. 基于混合Al：MgZnO / PEDOT：PSS肖特基二极管的自供电UV-B光电探测器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-20
    • 文件大小：489472
    • 提供者：weixin_38648396

  1. 带有线性梯度场限制环的高压4H-SiC结势垒肖特基整流器的实验和数值分析

  2. 带有线性梯度场限制环的高压4H-SiC结势垒肖特基整流器的实验和数值分析

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：576512
    • 提供者：weixin_38649356

  1. 金属/ n-Ge系统中的肖特基势垒高度调制

  2. 由于锗的载流子迁移率比Si [1]高，因此作为半导体器件的助推剂，锗受到了广泛的关注。然而，由于n-Ge和金属之间的费米能级钉扎作用强，难以实现低电阻欧姆接触[2-3]。为了实现非欧姆和高电阻率的接触，我们必须固定费米能级。据报道，有几种方法可以实现这一目标[3-8]。在这里，我们通过插入超薄绝缘体层来研究nGe /金属中的肖特基势垒高度调制。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：237568
    • 提供者：weixin_38562492

  1. 接触电阻率测量监测掺杂物偏析引起的肖特基势垒高度变化

  2. 监测接触电阻率（rho（c））的变化，以评估由掺杂物偏析（DS）引起的肖特基势垒高度（SBH）变化。该方法对于小SBH的金属-半导体触点特别有利，因为它既不需要肖特基二极管的电流-电压表征中所需的低温测量，也不受反向电容泄漏电流的影响，而反向泄漏电流通常会困扰电容-电压表征。 PtSi接触n型和p型扩散区，并使用相反或相似的掺杂剂注入预先形成的PtSi膜中，然后在不同温度下进行压入退火，以在PtSi / Si界面上诱导DS，形成PtSi / Si界面。界面偶极被确认为有效SBHs修饰从而rho（

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：724992
    • 提供者：weixin_38661800

  1. 高效单银纳米线/ p-GaN衬底基于肖特基结的紫外发光二极管

  2. 高效单银纳米线/ p-GaN衬底基于肖特基结的紫外发光二极管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38735782

  1. 具有高电流能力的单片4H-SiC结势垒肖特基二极管的制作

  2. 具有高正向能力的单片4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管引起了人们的极大兴趣当前用于工业电源应用。 在本文中，我们报告了在掺杂至6×1015cm3的10μm4H-SiC外延层上制造的大面积单片4H-SiC JBS二极管。 有效面积为30 mm2的JBS二极管在5 V的正向电压下具有330A的正向电流，这对应于1100 A / cm2的电流密度。 通过使用最佳的多重浮动保护环（MFGR）终端，对于高达100A的反向电流，也实现了接近1.6kV的接近理想击穿电压，约为理论值的87.2％。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38629362

  1. 扫描隧道显微镜研究硅化锰纳米结构与Si（111）之间纳米级肖特基接触的电输运性质

  2. 扫描隧道显微镜研究硅化锰纳米结构与Si（111）之间纳米级肖特基接触的电输运性质

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：439296
    • 提供者：weixin_38546024

  1. 高压AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的电场调制技术

  2. 高压AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的电场调制技术

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：12288
    • 提供者：weixin_38710127

  1. Fe3O4超顺磁性纳米粒子对石墨烯肖特基势垒的影响

  2. Fe3O4超顺磁性纳米粒子对石墨烯肖特基势垒的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：570368
    • 提供者：weixin_38546459

  1. 有机硅肖特基太阳能电池中的空穴电输运性质

  2. 有机硅肖特基太阳能电池中的空穴电输运性质

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：920576
    • 提供者：weixin_38549721

  1. 无凹槽的AlGaN / GaN横向肖特基势垒控制肖特基整流器，具有低导通电压和高反向阻断

  2. 无凹槽的AlGaN / GaN横向肖特基势垒控制肖特基整流器，具有低导通电压和高反向阻断

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38548704

  1. 用于太阳能电池的效率增强的石墨烯/ n-Si肖特基结

  2. 用于太阳能电池的效率增强的石墨烯/ n-Si肖特基结

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：896000
    • 提供者：weixin_38644097

  1. 氟等离子体处理引起的深能级陷阱及其对Al0.83In0.17N / AlN / GaN肖特基势垒二极管中电流传输的影响

  2. 氟等离子体处理引起的深能级陷阱及其对Al0.83In0.17N / AlN / GaN肖特基势垒二极管中电流传输的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：786432
    • 提供者：weixin_38700320

  1. 石墨烯GaN基肖特基紫外线检测器

  2. 石墨烯GaN基肖特基紫外线检测器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38657984

  1. 通过溶液处理的HAT-CN和TPBi作为阳极和阴极缓冲层来改善基于PDPP3T的有机肖特基结的光电流

  2. 通过溶液处理的HAT-CN和TPBi作为阳极和阴极缓冲层来改善基于PDPP3T的有机肖特基结的光电流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-09
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38562079

  1. 具有漏场板和浮置场板的肖特基漏极AlGaN / GaN HEMT的反向阻挡特性和机理

  2. 具有漏场板和浮置场板的肖特基漏极AlGaN / GaN HEMT的反向阻挡特性和机理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：131072
    • 提供者：weixin_38652147
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