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搜索资源列表

  1. 基于三元合金MgZnO的背对背非对称肖特基型自供电紫外光电探测器

  2. 基于三元合金MgZnO的背对背非对称肖特基型自供电紫外光电探测器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38693419

  1. 带有p型注入器的沟槽式肖特基接触超级势垒整流器的高性能

  2. 带有p型注入器的沟槽式肖特基接触超级势垒整流器的高性能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38709100

  1. TiN覆盖层可有效降低TiSix / Si功率二极管的肖特基势垒高度

  2. TiN覆盖层可有效降低TiSix / Si功率二极管的肖特基势垒高度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：1010688
    • 提供者：weixin_38590520

  1. 肖特基源技术实现的高击穿电压InAlN / AlN / GaN HEMT

  2. 肖特基源技术实现的高击穿电压InAlN / AlN / GaN HEMT

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38522529

  1. InAlN / GaN HEMT中的肖特基接触技术可改善击穿电压

  2. 在本文中，我们证明了通过使用新的肖特基接触技术，晶格匹配的In0.17Al0.83N / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的截止状态击穿电压（BV）改善了253％。 基于此概念，提出了肖特基源/漏和肖特基源（SS）InAlN / GaN HEMT。 提议的L-GD为15μm的InAlN / GaN HEMT的三端BV大于600 V，而相同几何形状的常规InAlN / GaN HEMT的最大BV为184V。在板中，在L-GD = 15μm的SS InAlN / GaN HEMT中测量到650

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：1015808
    • 提供者：weixin_38742460

  1. 使用平面肖特基二极管的220GHz倍频器设计

  2. 使用平面肖特基二极管的220GHz倍频器设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：481280
    • 提供者：weixin_38603936

  1. 基于肖特基二极管的850 GHz TMIC倍频器的设计

  2. 基于肖特基二极管的850 GHz TMIC倍频器的设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：106496
    • 提供者：weixin_38738189

  1. 具有高k栅极氧化物的高性能沟槽MOS势垒肖特基二极管

  2. 具有高k栅极氧化物的高性能沟槽MOS势垒肖特基二极管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38725119

  1. 观察重掺杂p型SiGe的接触电阻率与肖特基势垒高度无关

  2. 观察重掺杂p型SiGe的接触电阻率与肖特基势垒高度无关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：522240
    • 提供者：weixin_38553791

  1. TiN覆盖层对TiSix / Si肖特基二极管势垒不均匀性的影响

  2. TiN覆盖层对TiSix / Si肖特基二极管势垒不均匀性的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：649216
    • 提供者：weixin_38653687

  1. 沟槽氧化物对TiSix / Si功率二极管肖特基势垒高度的影响

  2. 沟槽氧化物对TiSix / Si功率二极管肖特基势垒高度的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：623616
    • 提供者：weixin_38723027

  1. 用于太阳能电池的共轭聚合物-硅纳米线阵列混合肖特基二极管

  2. 用于太阳能电池的共轭聚合物-硅纳米线阵列混合肖特基二极管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38545768

  1. 集成了肖特基整流器的栅极增强型U型MOSFET

  2. 集成了肖特基整流器的栅极增强型U型MOSFET

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：220160
    • 提供者：weixin_38624315

  1. 高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

  2. 本文采用导模法生长技术，成功制备了高质量掺Si氧化镓(βGa2O3)单晶，掺杂浓度为2×1018 cm-3。晶体呈现淡蓝色，通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征，结果表明晶体质量良好。紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV。此外，在剥离衬底上，采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管，平均击穿场强 EAva为2.1 MV/cm，导通电阻3 mΩ·cm2，展示了优异性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38560107

  1. Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

  2. Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：240640
    • 提供者：weixin_38640674

  1. 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

  2. 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：473088
    • 提供者：weixin_38566318

  1. 肖特基二极管中磁场的超快产生

  2. 为了发展未来的磁数据存储技术,产生局部的超快磁场是根本.迄今为止,将电流脉冲注入到微型线圈和微型带状线中[1～6],以及用高能电子束[7]已实现亚纳秒磁场状态的激发.已提出通过全金属结的自旋极化电流局部注入[8,9]做磁开关元件的有效方法,而且似乎已获得验证[10～13].在混合型铁磁半导体结构中已观测到自旋注入[14,15].这里介绍在这种混合结构中几种产生局部超快磁场的方案,其基本元件是用聚焦约150fs激光脉冲光抽运的肖特基二极管.激光脉冲在半导体-金属结产生电流,转而在平面内产生磁场.这

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：214016
    • 提供者：weixin_38721691

  1. 肖特基型氮化镓紫外光电探测器性能

  2. 最小标准模型(MSM)结构的光电探测器主要分为光导型和肖特基型两种。制备得到了肖特基型的氮化镓(GaN) MSM结构紫外光电探测器,采用这种结构的器件主要是因为其暗电流低、响应时间快、响应度大、寄生电容小等优点。MSM形状的叉指电极是通过传统的紫外光刻和湿法刻蚀得到的,并采用Au作为金属电极。得到的肖特基型GaN紫外光电探测器的暗电流在1 V偏压下为3.5 nA,器件在1 V偏压下的最大响应度值出现在362 nm处,大小为0.12 A/W,器件的上升时间小于10 ns,下降时间为210 ns。并

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38733525

  1. 硼掺杂金刚石薄膜同质外延生长及肖特基势垒二极管制备

  2. 采用微波等离子体气相沉积(MPCVD)在商用3 mm×3 mm×1 mm高温高压合成(HPHT)Ib型(100) 金刚石衬底上同质外延生长B掺杂金刚石薄膜，并在此材料的基础上用磁控溅射和电子束蒸镀技术制备了不同结构参数金刚石肖特基势垒二极管。测试结果表明：所生长的金刚石薄膜表面非常平整，可以看到比较明显的原子台阶；所制备的器件具有明显的整流特性，肖特基电极直径100 μm，肖特基电极和欧姆电极间距10 μm，外加电压-15 V，300 K时测得器件正向导通电阻20 Ω，反向饱和电流近似为10-6

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38624332

  1. 英飞凌推出其第五代碳化硅肖特基二极管

  2. 导读：英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。 　　“第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。因此，二极管损耗比之上一代产品降低了多达30%,譬如在20 kHz频率上以满负荷工作的三相太阳能逆变器的前端升压级中。 　　新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压，其浪涌电流承受能力提高了一倍以上，并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性，该产品

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：77824
    • 提供者：weixin_38609401
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